[發(fā)明專利]一種鍍膜玻璃的制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010906805.8 | 申請(qǐng)日: | 2020-09-02 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112125534A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-12-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李軍;周文謙;蘭文平;牛建國(guó);張林嵩;高華;譚光仁 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 湖北億鈞耀能新材股份公司 |
| 主分類號(hào): | C03C17/36 | 分類號(hào): | C03C17/36 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 434000 湖北*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 鍍膜 玻璃 制備 方法 | ||
1.一種鍍膜玻璃的制備方法,其特征在于,所述制備方法包括:
執(zhí)行步驟S1,提供玻璃基底;
執(zhí)行步驟S2,在所述玻璃基底上濺射沉積功能膜層;
執(zhí)行步驟S3,在所述功能膜層之異于玻璃基底一側(cè)濺射沉積氧化鋯耐磨耗層,且所述氧化鋯耐磨耗層之濺射腔體與相鄰的所述功能膜層之濺射腔體的隔離系數(shù)至少為30,所述氧化鋯耐磨耗層采用中頻電源,并在電流模式下控制濺射沉積。
2.如權(quán)利要求1所述鍍膜玻璃的制備方法,其特征在于,所述氧化鋯耐磨耗層的中頻電源之脈沖頻率為20~55kHz。
3.如權(quán)利要求1所述鍍膜玻璃的制備方法,其特征在于,所述氧化鋯耐磨耗層的電源之脈沖頻率為30~45kHz。
4.如權(quán)利要求1所述鍍膜玻璃的制備方法,其特征在于,所述氧化鋯耐磨耗層在純氬氣工藝氣氛下,啟輝功率范圍為1.0~1.45kW AC/m。
5.如權(quán)利要求4所述鍍膜玻璃的制備方法,其特征在于,在所述氧化鋯耐磨耗層啟輝后,以0.05~0.15Amp/m的速度進(jìn)行功率提升。
6.如權(quán)利要求5所述鍍膜玻璃的制備方法,其特征在于,在所述氧化鋯耐磨耗層的功率達(dá)到設(shè)定值時(shí),逐漸在工藝腔室內(nèi)通入氧氣,使得所述氧化鋯耐磨耗層電弧數(shù)穩(wěn)定。
7.如權(quán)利要求6所述鍍膜玻璃的制備方法,其特征在于,所述電弧數(shù)必須小于250arec/min/m。
8.如權(quán)利要求1所述鍍膜玻璃的制備方法,其特征在于,所述氧化鋯耐磨耗層濺射沉積結(jié)束后,所述氧化鋯耐磨耗層的功率下降為1.5~2.5kW/m。
9.如權(quán)利要求8所述鍍膜玻璃的制備方法,其特征在于,當(dāng)氧化鋯耐磨耗層的功率下降至2.5kW AC/m以下時(shí),關(guān)閉所述脈沖電源。
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