[發(fā)明專利]粉末鍍膜裝置及粉末鍍膜方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010906350.X | 申請(qǐng)日: | 2020-09-01 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112176319A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-01-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李翔;鄒嘉宸;黎微明 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 江蘇微導(dǎo)納米科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C16/455 | 分類號(hào): | C23C16/455;C23C16/52 |
| 代理公司: | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人: | 周昭 |
| 地址: | 214000 江*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 粉末 鍍膜 裝置 方法 | ||
本發(fā)明涉及一種粉末鍍膜裝置及方法,在向反應(yīng)腔體內(nèi)充入第一前驅(qū)體及第二前驅(qū)體時(shí),可調(diào)節(jié)抽氣機(jī)構(gòu)的抽氣速率使得反應(yīng)腔體的進(jìn)氣速率大于出氣速率。因此,將會(huì)在反應(yīng)腔體內(nèi)維持較高壓力。這樣,能夠防止前驅(qū)體未來(lái)得及發(fā)生吸附或反應(yīng)即被抽走,增加了前驅(qū)體在反應(yīng)腔體內(nèi)停留的時(shí)間,從而確保粉末的表面發(fā)生充分的吸附反應(yīng)。同時(shí),由于反應(yīng)腔體內(nèi)的壓力較高,故抽氣側(cè)與進(jìn)氣側(cè)的壓差較小,從而還能有效控制粉末流化時(shí)的飛濺區(qū)高度。如此,能防止因粉末大量吸附在抽氣側(cè),而影響前驅(qū)體的吸附與清除。因此,上述粉末鍍膜裝置及方法能夠減少前驅(qū)體的浪費(fèi),并提高包覆層的生長(zhǎng)效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及鍍膜技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種粉末鍍膜裝置及粉末鍍膜方法。
背景技術(shù)
粉體顆粒表面功能化是材料表面工程技術(shù)的重要組成部分,尤其對(duì)提高顆粒的原有性能具有重要意義。通過(guò)在粉體顆粒表面包覆層,即鍍膜,可實(shí)現(xiàn)對(duì)粉體顆粒的表面功能化。
原子層沉積技術(shù)由于其具有更為優(yōu)秀的均勻性、保形性和尺寸可控性,目前已廣泛應(yīng)用于針對(duì)粉體顆粒鍍膜的工藝中。現(xiàn)階段的鍍膜工藝中,一般采用的設(shè)備為流化床式ALD(Atomic layer deposition,原子層沉積)設(shè)備。流化床式ALD設(shè)備需要持續(xù)對(duì)反應(yīng)腔體抽氣并充入流化氣。這樣,反應(yīng)腔體內(nèi)的粉體顆粒將會(huì)流化并分散。
但是,在流化床式ALD設(shè)備持續(xù)抽氣的過(guò)程中,前驅(qū)體往往來(lái)不及反應(yīng)就被泵抽走,從而浪費(fèi)前驅(qū)體且導(dǎo)致包覆層的生長(zhǎng)效率較低。
發(fā)明內(nèi)容
基于此,有必要針對(duì)上述問(wèn)題,提供一種能有效提升包覆層的生長(zhǎng)效率的粉末鍍膜裝置及粉末鍍膜方法。
一種粉末鍍膜裝置,包括:
鍍膜腔體,形成有反應(yīng)腔體,所述反應(yīng)腔體具有進(jìn)氣端口及出氣端口;
氣路系統(tǒng),與所述進(jìn)氣端口連通,并用于向所述反應(yīng)腔體內(nèi)充入氣體;及
抽氣機(jī)構(gòu),與所述鍍膜腔體連通,并經(jīng)所述出氣端口對(duì)所述反應(yīng)腔體進(jìn)行抽氣,所述抽氣機(jī)構(gòu)對(duì)所述反應(yīng)腔體進(jìn)行抽氣的抽氣速率可調(diào)。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,還包括設(shè)于所述抽氣機(jī)構(gòu)與所述鍍膜腔體之間的廢氣處理機(jī)構(gòu)。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述抽氣機(jī)構(gòu)包括真空泵及設(shè)于所述真空泵與所述鍍膜腔體之間的蝶閥。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述抽氣機(jī)構(gòu)包括真空泵、與所述真空泵并聯(lián)且可開(kāi)啟或關(guān)閉的排氣旁路,所述排氣旁路的排氣速率小于所述真空泵的抽氣速率。
上述粉末鍍膜裝置,在向反應(yīng)腔體內(nèi)充入第一前驅(qū)體及第二前驅(qū)體時(shí),可調(diào)節(jié)抽氣機(jī)構(gòu)的抽氣速率使得反應(yīng)腔體的進(jìn)氣速率大于出氣速率。因此,反應(yīng)腔體內(nèi)將維持較高壓力。這樣,能夠防止前驅(qū)體未來(lái)得及發(fā)生吸附或反應(yīng)即被抽走,增加了前驅(qū)體在反應(yīng)腔體內(nèi)停留的時(shí)間,從而確保粉末的表面發(fā)生充分的吸附反應(yīng)。同時(shí),由于反應(yīng)腔體內(nèi)的壓力較高,故抽氣側(cè)與進(jìn)氣側(cè)的壓差較小,從而還能有效控制粉末流化時(shí)的飛濺區(qū)高度。如此,能防止因粉末大量吸附在抽氣側(cè),而影響前驅(qū)體的吸附與清除。因此,上述粉末鍍膜裝置能夠減少前驅(qū)體的浪費(fèi),并提高包覆層的生長(zhǎng)效率。
一種粉末鍍膜方法,包括步驟:
S1:對(duì)反應(yīng)腔體內(nèi)的粉末進(jìn)行預(yù)處理;
S2:向所述反應(yīng)腔體內(nèi)充入流化氣,以使所述粉末流化并分散;
S3:向所述反應(yīng)腔體內(nèi)充入第一前驅(qū)體,并使所述第一前驅(qū)體與所述粉末的表面吸附,且所述反應(yīng)腔體的進(jìn)氣速率大于出氣速率;
S4:再次向所述反應(yīng)腔體內(nèi)充入流化氣,以使所述粉末流化并分散;
S5:向所述反應(yīng)腔體內(nèi)充入第二前驅(qū)體,以使所述第二前驅(qū)體與所述粉末表面所吸附的所述第一前驅(qū)體反應(yīng)生成包覆層,所述反應(yīng)腔體的進(jìn)氣速率大于出氣速率。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過(guò)氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過(guò)浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無(wú)機(jī)材料為特征的
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