[發明專利]粉末鍍膜裝置及粉末鍍膜方法

在審

• 申請號: 202010906350.X
• 申請日: 2020-09-01
• 公開（公告）號: CN112176319A
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發明（設計）人: 李翔;鄒嘉宸;黎微明
• 申請（專利權）人: 江蘇微導納米科技股份有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/52
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 周昭

1.一種粉末鍍膜裝置，其特征在于，包括：

鍍膜腔體，形成有反應腔體，所述反應腔體具有進氣端口及出氣端口；

氣路系統，與所述進氣端口連通，并用于向所述反應腔體內充入氣體；及

抽氣機構，與所述鍍膜腔體連通，并經所述出氣端口對所述反應腔體進行抽氣，所述抽氣機構對所述反應腔體進行抽氣的抽氣速率可調。

2.根據權利要求1所述的粉末鍍膜裝置，其特征在于，還包括設于所述抽氣機構與所述鍍膜腔體之間的廢氣處理機構。

3.根據權利要求1所述的粉末鍍膜裝置，其特征在于，所述抽氣機構包括真空泵及設于所述真空泵與所述鍍膜腔體之間的蝶閥。

4.根據權利要求1所述的粉末鍍膜裝置，其特征在于，所述抽氣機構包括真空泵、與所述真空泵并聯且可開啟或關閉的排氣旁路，所述排氣旁路的排氣速率小于所述真空泵的抽氣速率。

5.一種粉末鍍膜方法，其特征在于，包括步驟：

S1：對反應腔體內的粉末進行預處理；

S2：向所述反應腔體內充入流化氣，以使所述粉末流化并分散；

S3：向所述反應腔體內充入第一前驅體，并使所述第一前驅體與所述粉末的表面吸附，且所述反應腔體的進氣速率大于出氣速率；

S4：再次向所述反應腔體內充入流化氣，以使所述粉末流化并分散；

S5：向所述反應腔體內充入第二前驅體，以使所述第二前驅體與所述粉末表面所吸附的所述第一前驅體反應生成包覆層，所述反應腔體的進氣速率大于出氣速率。

6.根據權利要求5所述的粉末鍍膜方法，其特征在于，所述步驟S1包括步驟：

S101：將待鍍膜的粉末裝入反應腔體內；

S102：對所述反應腔體進行抽真空；

S103：對所述反應腔體進行加熱，并使所述反應腔體內的溫度預設值。

7.根據權利要求5所述的粉末鍍膜方法，其特征在于，所述步驟S3包括步驟：

S301：向所述反應腔體中充入足量的所述第一前驅體，以使所述第一前驅體與所述粉末的表面飽和吸附，并使所述反應腔體的進氣速率大于出氣速率；

S302：向所述反應腔體內充入吹掃氣，以將多余的所述第一前驅體排出，并使所述反應腔體的進氣速率小于出氣速率；

所述步驟S5包括步驟：

S501：向所述反應腔體中充入足量的所述第二前驅體，以使所述第二前驅體與所述粉末表面所吸附的所述第一前驅體充分反應，并使所述反應腔體的進氣速率大于出氣速率；

S502：向所述反應腔體內充入吹掃氣，以將多余的所述第二前驅體排出，并使所述反應腔體的進氣速率小于出氣速率。

8.根據權利要求5所述的粉末鍍膜方法，其特征在于，所述步驟S3包括步驟：

S301’：向所述反應腔體中充入所述第一前驅體，并使所述第一前驅體與所述粉末的表面非飽和吸附，所述反應腔體的進氣速率大于出氣速率；

S302’：向所述反應腔體內充入吹掃氣，以將多余的所述第一前驅體排出，并使所述反應腔體的進氣速率小于出氣速率；

S303’：重復上述步驟S301’及S302’，直至所述第一前驅體與所述粉末的表面飽和吸附；

所述步驟S5包括步驟：

S501’：向所述反應腔體中充入所述第二前驅體，并使所述第二前驅體與所述粉末表面所吸附的所述第一前驅體部分反應，所述反應腔體的進氣速率大于出氣速率；

S502’：向所述反應腔體內充入吹掃氣，以將多余的所述第二前驅體排出，并使所述反應腔體的進氣速率小于出氣速率；

S503’：重復上述步驟S501’及S502’，直至所述第二前驅體與所述粉末表面所吸附的所述第一前驅體充分反應。

9.根據權利要求5至8任一項所述的粉末鍍膜方法，其特征在于，還包括步驟：重復上述步驟S2至S5，直至所述包覆層的達到預設厚度。