[發明專利]激光等離子體極紫外光源和極紫外光產生方法

有效

• 申請號: 202010904043.8
• 申請日: 2020-09-01
• 公開（公告）號: CN111999989B
• 公開（公告）日: 2023-07-14
• 發明（設計）人: 王新兵;左都羅;馬修泉;陸培祥
• 申請（專利權）人: 廣東省智能機器人研究院
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 紀婷婧

本申請涉及一種激光等離子體極紫外光源和極紫外光產生方法。其中，激光等離子體極紫外光源，真空靶室、光學透鏡模組、液滴靶發生器和用于收集極紫外光的收集鏡；激光通過光學透鏡模組形成的光學焦點位于真空靶室的內部；液滴靶發生器用于向真空靶室提供液滴；液滴在真空靶室的移動線路經過光學焦點，以使液滴靶發生器產生的液滴與激光在光學焦點處產生極紫外光；收集鏡的收集方向與激光入射方向垂直，且不與液滴的移動方向平行。光學透鏡模組的焦點處于真空環境，避免了對其它設備的損壞。同時，本申請的收集器的收集方向與激光入射方向垂直，收集鏡的中間不需要開設孔，從而可以收集到更多的光，提高收集效率，進一步的提高了光源的轉換效率。

技術領域

本申請涉及激光技術領域，特別是涉及一種激光等離子體極紫外光源和極紫外光產生方法。

背景技術

光刻技術作為半導體工業中最為關鍵的技術，它的發展帶來了半導體器件性能的飛速提高，在半導體工業半個多世紀的進化歷程中為整個產業的發展提供了強有力的技術支撐。但是，隨著半導體芯片集成度越來越高，極大規模集成電路的進一步細微化已經受到光刻技術中光刻分辨率的限制。目前，采用波長為13.5nm的極紫外輻射為曝光光源的極紫外光刻技術已被認定將成為突破7nm節點半導體工業技術的重要手段。

在實現過程中，發明人發現傳統技術中至少存在如下問題：傳統設備具有的光源轉換效率低的問題。

發明內容

基于此，有必要針對上述技術問題，提供一種光源轉換效率高的激光等離子體極紫外光源和極紫外光產生方法。

為了實現上述目的，一方面，本發明實施例提供了一種光源轉換效率高的激光等離子體極紫外光源，包括：

真空靶室；

光學透鏡模組；激光通過光學透鏡模組形成的光學焦點位于真空靶室的內部；

液滴靶發生器；液滴靶發生器用于向真空靶室提供液滴；液滴在真空靶室的移動線路經過光學焦點，以使液滴靶發生器產生的液滴與激光在光學焦點處產生極紫外光；

用于收集極紫外光的收集鏡；收集鏡的收集方向與激光入射方向垂直，且不與液滴的移動方向平行。

在其中一個實施例中，光學透鏡模組包括預設數量的透鏡組；各透鏡組包括第一透鏡和第二透鏡；

第一透鏡和第二透鏡形成諧振腔；第一透鏡的焦點落入諧振腔的范圍內。

在其中一個實施例中，光學透鏡模組包括預設數量的光學透鏡；

各光學透鏡的焦點的位置均與光學焦點的位置重合。

在其中一個實施例中，還包括泵浦源；

泵浦源用于產生激光。

在其中一個實施例中，還包括增益介質；

增益介質設于光學透鏡模組的靠近光學焦點的一側。

在其中一個實施例中，還包括激光探測器和處理器；

激光探測器用于檢測激光輸出的功率，并傳輸給處理器；

處理器根據激光輸出的功率調節泵浦源的泵浦強度。

一方面，本發明實施例還提供了一種極紫外光的產生方法，應用于如上述任一項的激光等離子體極紫外光源，包括步驟：

檢測激光通過光學透鏡模組的事件是否發生；

若檢測的結果為是，向液滴靶發生器傳輸驅動指令；驅動指令用于指示液滴靶發生器開啟，以使液滴靶發生器產生的液滴與激光在光學焦點處產生極紫外光。

在其中一個實施例中，還包括步驟：

獲取激光輸出的功率；