[發(fā)明專利]微發(fā)光二極管顯示基板及其制作方法

在審

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• 申請日: 2020-09-01
• 公開（公告）號: CN111952331A
• 公開（公告）日: 2020-11-17
• 發(fā)明（設計）人: 盧馬才;樊勇;柳銘崗;劉念;姚江波
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15
• 代理公司: 深圳紫藤知識產(chǎn)權代理有限公司 44570
• 代理人: 唐秀萍

本發(fā)明公開了一種微發(fā)光二極管顯示基板及其制作方法。其包括一襯底基板；設在襯底基板頂面且相互連接的薄膜晶體管和微發(fā)光二極管，設在襯底基板的底面的第一金屬膜層，并至少形成一扇出電路圖案和一側印焊盤；扇出電路圖案與側印焊盤連接，側印焊盤通過側面導線與薄膜晶體管連接。使得顯示基板和邊框組裝后頂面顯示像素區(qū)域可最大程度的靠近邊框，以達到無邊框效果。

技術領域

本發(fā)明涉及顯示技術領域，尤其涉及微發(fā)光二極管顯示器制造技術領域，具體涉及一種微發(fā)光二極管顯示基板及其制作方法。

背景技術

在顯示領域里，如液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)、有機發(fā)光半導體(Organic Light-Emitting Diode，OLED)、發(fā)光二極管(Light Emitting Diode，簡稱LED)屏幕，單一屏幕體越大，制作成本越高(價格/面積)，因此一般的超大屏幕通常采用若干塊小的屏幕拼接一起形成，以降低單位面積的成本。由于一般的屏幕都會帶有邊框，這會導致拼接屏的顯示區(qū)域帶有若干條非顯示暗區(qū)，降低顯示品質。如何降低拼接屏的拼接縫的大小，已經(jīng)成為業(yè)界熱門的研究對象。

發(fā)明內容

本發(fā)明實施例提供一種微發(fā)光二極管(Micro LED)顯示基板及其制作方法，可以最大限度的降低高解析度屏幕的拼接縫問題，并簡化薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)基板顯示面、底面電路的結構。

第一方面，本發(fā)明實施例提供一種微發(fā)光二極管顯示基板，包括：

一襯底基板，具有頂面與底面，

薄膜晶體管，形成于所述襯底基板的頂面；

微發(fā)光二極管，設置于所述襯底基板的頂面、且與所述薄膜晶體管連接；以及

第一金屬膜層，設置于所述襯底基板的底面，且至少形成一扇出電路圖案和一側印焊盤；

其中，所述第一金屬膜層的扇出電路圖案與所述側印焊盤連接，所述側印焊盤通過設置在所述襯底基板旁邊的側面導線與所述薄膜晶體管連接。

在一些實施例中，所述薄膜晶體管包括第二源極/像素電極、公共陰極、漏極、覆蓋所述漏極的第二鈍化層和形成在所述第二鈍化層之上的黑色矩陣層；其中：所述第二源極/像素電極和所述公共陰極分別與所述微發(fā)光二極管連接。在一些實施例中，所述鈍化層與所述黑色矩陣層共用一道光罩制程進行自對準圖案化形成。

在一些實施例中，所述薄膜晶體管還包括：半導體膜層和遮光層；所述第二源極/像素電極分別與所述微發(fā)光二極管、所述半導體膜層和所述遮光層相連接；所述漏極與所述半導體膜層連接。

在一些實施例中，所述薄膜晶體管還包括：

覆蓋所述遮光層的絕緣層；

形成在所述半導體膜層之上的第二柵極絕緣層；

形成在所述第二柵極絕緣層之上的第二柵極金屬層；以及

至少覆蓋所述絕緣層、半導體膜層、第二柵極絕緣層和第二柵極金屬層的中間介電層；其中：

所述遮光層形成在所述襯底基板的頂面上；

所述半導體膜層形成在所述絕緣層之上；

所述第二源極/像素電極的第一部分形成于所述中間介電層之上并與所述微發(fā)光二極管連接、第二部分貫穿所述中間介電層和所述絕緣層與所述遮光層連接、以及第三部分貫穿所述中間介電層與所述半導體膜層連接；

所述漏極的一部分形成于所述中間介電層之上并由所述第二鈍化層覆蓋、另一部分貫穿所述中間介電層與所述半導體膜層連接。