[發明專利]微發光二極管顯示基板及其制作方法

在審

• 申請號: 202010903445.6
• 申請日: 2020-09-01
• 公開（公告）號: CN111952331A
• 公開（公告）日: 2020-11-17
• 發明（設計）人: 盧馬才;樊勇;柳銘崗;劉念;姚江波
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 唐秀萍

1.一種微發光二極管顯示基板，其特征在于，包括：

一襯底基板，具有頂面與底面；

薄膜晶體管，形成于所述襯底基板的頂面；

微發光二極管，設置于所述襯底基板的頂面、且與所述薄膜晶體管連接；以及

第一金屬膜層，設置于所述襯底基板的底面，且至少形成一扇出電路圖案和一側印焊盤；

其中，所述第一金屬膜層的扇出電路圖案與所述側印焊盤連接，所述側印焊盤通過設置在所述襯底基板旁邊的側面導線與所述薄膜晶體管連接。

2.如權利要求1所述的微發光二極管顯示基板，其特征在于，所述薄膜晶體管包括第二源極/像素電極、公共陰極、漏極、覆蓋所述漏極的第二鈍化層和形成在所述第二鈍化層之上的黑色矩陣層；其中：所述第二源極/像素電極和所述公共陰極分別與所述微發光二極管連接。

3.如權利要求2所述的微發光二極管顯示基板，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括：半導體膜層和遮光層；所述第二源極/像素電極分別與所述微發光二極管、所述半導體膜層和所述遮光層相連接；所述漏極與所述半導體膜層連接。

4.如權利要求3所述的微發光二極管顯示基板，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括：

覆蓋所述遮光層的絕緣層；

形成在所述半導體膜層之上的第二柵極絕緣層；

形成在所述第二柵極絕緣層之上的第二柵極金屬層；以及

至少覆蓋所述絕緣層、半導體膜層、第二柵極絕緣層和第二柵極金屬層的中間介電層；其中：

所述遮光層形成在所述襯底基板的頂面上；

所述半導體膜層形成在所述絕緣層之上；

所述第二源極/像素電極的第一部分形成于所述中間介電層之上并與所述微發光二極管連接、第二部分貫穿所述中間介電層和所述絕緣層與所述遮光層連接、以及第三部分貫穿所述中間介電層與所述半導體膜層連接；

所述漏極的一部分形成于所述中間介電層之上并由所述第二鈍化層覆蓋、另一部分貫穿所述中間介電層與所述半導體膜層連接。

5.如權利要求4所述的微發光二極管顯示基板，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括第一源極；所述第一源極位于所述襯底基板邊緣處、并形成在所述中間介電層之上；所述第一源極通過設置在所述襯底基板旁邊的側面導線與所述第一金屬膜層的側印焊盤連接。

6.如權利要求4所述的微發光二極管顯示基板，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括第一柵極絕緣層和第一柵極金屬層；所述第一柵極絕緣層位于所述襯底基板邊緣處、并形成在所述絕緣層之上、所述半導體膜層之外；所述第一柵極金屬層形成在所述第一柵極絕緣層之上；所述第一柵極金屬層通過設置在所述襯底基板旁邊的側面導線與所述第一金屬膜層的側印焊盤連接。

7.一種微發光二極管顯示基板的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟A、在所述襯底基板的底面制備第一金屬膜層，并形成至少一扇出電路圖案和一側印焊盤，并使所述扇出電路與所述側印焊盤相連接；

步驟B、在所述襯底基板的頂面制備薄膜晶體管；

步驟C、將設置在所述襯底基板頂面的微發光二極管連接到所述薄膜晶體管上；以及

步驟D、將薄膜晶體管通過設置在所述襯底基板旁邊的側面導線與所述第一金屬膜層的側印焊盤相連接。

8.如權利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述步驟B包括：

步驟b6、形成源漏極金屬電極層，并經圖案化至少形成漏極，第二源極/像素電極和公共陰極；以及

步驟b7、在所述漏極之上共用一道光罩制程進行自對準圖案化形成第二鈍化層和黑色矩陣層，使所述第二鈍化層覆蓋所述漏極，并使所述黑色矩陣層覆蓋所述第二鈍化層表面；

所述步驟C包括：將微發光二極管綁定在所述第二源極/像素電極和公共陰極上。