[發明專利]一種預對準機的透明晶圓邊緣提取方法有效
| 申請號: | 202010903002.7 | 申請日: | 2020-09-01 |
| 公開(公告)號: | CN111952230B | 公開(公告)日: | 2021-03-16 |
| 發明(設計)人: | 戴金方 | 申請(專利權)人: | 無錫卓海科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/68 | 分類號: | H01L21/68;G03F9/00 |
| 代理公司: | 無錫華源專利商標事務所(普通合伙) 32228 | 代理人: | 聶啟新 |
| 地址: | 214000 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 對準 透明 邊緣 提取 方法 | ||
本發明公開了一種預對準機的透明晶圓邊緣提取方法,涉及半導體技術領域,該方法包括:不放置晶圓時采集線陣型CCD傳感器的第一受光數據作為光源基準波形;放置待測透明晶圓并控制移動平臺移動至晶圓邊緣位于線陣型CCD傳感器的檢測范圍內;旋轉待測透明晶圓并采集線陣型CCD傳感器的第二受光數據,從中提取出邊緣數據;將邊緣數據和光源基準波形進行差分處理,通過處理獲取線陣型CCD傳感器的遮光位置;對該遮光位置進行邊緣補償修正得到補償后傳感器的遮光位置;通過數模信號轉換后輸出給預對準機得到待測透明晶圓的邊緣位置。邊緣補償修正提高了晶圓邊緣提取的精度,該提取方法使現有的預對準機也能支持透明晶圓的邊緣提取。
技術領域
本發明涉及半導體技術領域,尤其是一種預對準機的透明晶圓邊緣提取方法。
背景技術
晶圓是具有單晶結構的晶圓片,不同的晶圓晶體方向具有不同的化學、電學和物理特性,因此晶圓均要求具有特定的晶體方向,離子注入、光刻圖案等工藝均以晶體方向作為參考,因此半導體設備對晶圓進行刻蝕和測量前,均需要對晶圓方向進行定位。晶圓具有缺口或切邊作為晶體方向的可見參考,半導體設備通過識別晶圓的缺口或切邊,將晶圓以特定角度傳輸到精密移動平臺進行加工和測量。隨著半導體工藝進入納米級別,其對半導體設備的精確度要求越來越高,為實現高速自動化生產和測量,在對晶圓進行加工和測量前,普遍采用晶圓預對準機對晶圓進行預對準,減小傳輸誤差,如光刻機、套刻測量儀、應力測量儀、電子束掃描電鏡等,預對準機的性能直接影響半導體設備的加工測量精度和生產效率。
預對準機的晶圓預對準主要包括晶圓方向定位和晶圓圓心定位,通過旋轉晶圓,連續檢測感光量,獲取晶圓邊緣位置信息,然后設計相應圓心和方向定位算法,計算出最終結果。由此,無論何種預對準計算方法,都是基于晶圓邊緣數據,邊緣數據采集的準確性,直接影響計算結果和定位精度。
然而不同的化合物材料具有不同的透光度,在對化合物晶圓進行檢測時,由于材料本身透光,預對準機采集的受光量為晶圓未遮擋部分透光量與晶圓透光量之和,其中未遮擋部分透光量由光源決定,該部分與硅晶圓情況相同,但晶圓的透光量由晶圓本身材質、晶圓圖案、覆膜等多種因素有關,不同角度和位置,透光量不同,難以進行準確計算,因此僅通過受光量無法反應透明晶圓的邊緣位置。
因此,針對上述問題,有必要提出針對透明晶圓的邊緣提取方法,以實現透明晶圓預對準定位。
發明內容
本發明人針對上述問題及技術需求,提出了一種預對準機的透明晶圓邊緣提取方法,能夠在保證識別精度和時間要求下,提取出透明晶圓的邊緣位置數據,為預對準計算提供數據基礎,本發明的技術方案如下:
一種預對準機的透明晶圓邊緣提取方法,該方法包括:
在預對準機中不放置晶圓,打開配套光源,處理單元采集線陣型CCD傳感器每個像素點的第一受光數據作為光源基準波形并進行保存;
在旋轉平臺上放置待測透明晶圓,控制移動平臺承載待測透明晶圓移動,直至待測透明晶圓邊緣位于線陣型CCD傳感器的檢測范圍內;
控制旋轉平臺承載待測透明晶圓轉動,處理單元采集有待測透明晶圓遮擋影響下的線陣型CCD傳感器每個像素點的第二受光數據,從第二受光數據中提取出邊緣數據;
將邊緣數據和光源基準波形進行差分處理,再通過閾值法或極值法獲取線陣型CCD傳感器的遮光位置;
對線陣型CCD傳感器的遮光位置進行邊緣補償修正得到補償后傳感器的遮光位置;
將補償后傳感器的遮光位置進行數模信號轉換,并輸出給預對準機的控制單元得到待測透明晶圓的邊緣位置。
其進一步的技術方案為,從第二受光數據中提取出邊緣數據,包括:
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





