[發明專利]溝槽式半導體組件制造方法

在審

• 申請號: 202010902414.9
• 申請日: 2020-09-01
• 公開（公告）號: CN114121628A
• 公開（公告）日: 2022-03-01
• 發明（設計）人: 林昭言
• 申請（專利權）人: 富鼎先進電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 薛恒;王琳

1.一種溝槽式半導體組件制造方法，其特征在于，包含：

形成磊晶層于基材上；

形成溝槽，于該磊晶層中；以及

形成柵極結構于該溝槽之中，其中該柵極結構包含，上方柵極、下方柵極以及中間絕緣部，且該中間絕緣部位于該上方柵極之中。

2.如權利要求1所述的溝槽式半導體組件制造方法，還包含：

沉積第一氧化層于該溝槽之中；以及

沉積第一多晶硅層于該第一氧化層之上以及該溝槽之中。

3.如權利要求2所述的溝槽式半導體組件制造方法，其中該第一氧化層的厚度為5000埃到10000埃之間，且該第一多晶硅層為6000埃到10000埃之間，并填滿該溝槽。

4.如權利要求3所述的溝槽式半導體組件制造方法，還包含：

回蝕該第一多晶硅層至該第一氧化層的上表面的下方1.5微米至2微米的位置。

5.如權利要求4所述的溝槽式半導體組件制造方法，還包含：

氧化該第一多晶硅層的表面，以形成第二氧化層，并利用該第二氧化層與該第一氧化層包覆該下方柵極。

6.如權利要求5所述的溝槽式半導體組件制造方法，還包含：

沉積氮化硅層于該溝槽之中；

回蝕該氮化硅層，以形成該中間絕緣部；以及

回蝕該第一氧化層，以移除部分的該第一氧化層，進而形成第一介電層，并露出部分的該磊晶層的表面，且該第一介電層與該第二氧化層包覆該下方柵極。

7.如權利要求6所述的溝槽式半導體組件制造方法，還包含：

氧化該磊晶層的該表面，以形成柵極氧化層。

8.如權利要求7所述的溝槽式半導體組件制造方法，還包含：

沉積第二多晶硅層，以填滿該溝槽；以及

回蝕該第二多晶硅層至該柵極氧化層的上表面的下方200埃至500埃的位置。

9.如權利要求8所述的溝槽式半導體組件制造方法，還包含：

在該磊晶層進行離子植入，并加熱進行離子趨入；以及

使用源極光罩，以定義源極區。

10.如權利要求9所述的溝槽式半導體組件制造方法，還包含：

形成第二介電層于該柵極氧化層之上；

利用接觸區光罩，以蝕刻該第二介電層以及該柵極氧化層，以形成復數個開口；以及

沉積金屬層于該第二介電層之上以及該些開口之中。