[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010899404.4
• 申請日: 2020-08-31
• 公開（公告）號: CN111969044B
• 公開（公告）日: 2022-05-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 詹益旺;童宇誠;林剛毅;李甫哲;劉安淇;郭明峰;蔡建成
• 申請（專利權(quán)）人: 福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L21/762
• 代理公司: 上海思捷知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31295
• 代理人: 盧云芊

本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體裝置，半導(dǎo)體裝置包括基底，有源結(jié)構(gòu)，以及淺溝渠隔離。有源結(jié)構(gòu)設(shè)置于基底內(nèi)，并且包括多個(gè)第一有源區(qū)以及一第二有源區(qū)，第二有源區(qū)設(shè)置在多個(gè)第一有源區(qū)外側(cè)。第二有源區(qū)還包括多個(gè)邊角，各該邊角的角度大于90度。淺溝渠隔離設(shè)置于基底內(nèi)并環(huán)繞有源結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置因設(shè)有強(qiáng)化的邊角結(jié)構(gòu)，藉此，可改善半導(dǎo)體裝置周圍的應(yīng)力，避免半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的倒塌或毀損。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置，尤其是涉及一種包括有源結(jié)構(gòu)以及淺溝渠隔離的半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)

隨著半導(dǎo)體裝置微小化以及集成電路的復(fù)雜化，組件的尺寸不斷地減小，結(jié)構(gòu)亦不斷地變化，因此，維持小尺寸半導(dǎo)體組件的效能為目前業(yè)界的主要目標(biāo)。在半導(dǎo)體制作工藝中，多半是在基底上定義出多個(gè)有源區(qū)域作為基礎(chǔ)，再于該些有源區(qū)域上形成所需組件。一般來說，有源區(qū)域?yàn)槔霉饪碳拔g刻等制作工藝在基底上所形成多個(gè)圖案，但在尺寸微縮的要求下，有源區(qū)域的寬度逐漸縮減，而各個(gè)有源區(qū)域之間的間距也漸縮小，使得其制作工藝也面臨許多限制與挑戰(zhàn)，連帶影響有源區(qū)域的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定度，而容易發(fā)生結(jié)構(gòu)倒塌或毀損等問題，以至于無法滿足產(chǎn)品需求。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明之一目的在于提供一種半導(dǎo)體裝置，其有源結(jié)構(gòu)具有強(qiáng)化的邊角及/或周邊，藉此，可改善半導(dǎo)體裝置周圍的應(yīng)力，避免半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的倒塌或毀損。

為達(dá)上述目的，本發(fā)明之一實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體裝置，包括基底，有源結(jié)構(gòu)，以及淺溝渠隔離。該有源結(jié)構(gòu)設(shè)置于該基底內(nèi)，并且包括多個(gè)第一有源區(qū)以及一第二有源區(qū)，該第二有源區(qū)設(shè)置在該些第一有源區(qū)外側(cè)，其中，該第二有源區(qū)還包括多個(gè)邊角，各該邊角的角度大于90度。該淺溝渠隔離設(shè)置于該基底內(nèi)并環(huán)繞該有源結(jié)構(gòu)。

為達(dá)上述目的，本發(fā)明之一實(shí)施例提供另一種半導(dǎo)體裝置，包括基底，有源結(jié)構(gòu)，以及淺溝渠隔離。該有源結(jié)構(gòu)設(shè)置于該基底內(nèi)，該有源結(jié)構(gòu)包括多個(gè)第一有源區(qū)、一第二有源區(qū)以及多個(gè)第三有源區(qū)，該些第一有源區(qū)以及該些第三有源區(qū)相互平行、相互分隔且交替地沿著一第一方向排列，該第二有源區(qū)設(shè)置在該些第一有源區(qū)以及該些第三有源區(qū)之間，并包圍該些第一有源區(qū)。該淺溝渠隔離設(shè)置于該基底內(nèi)并環(huán)繞該有源結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置是在裝置周圍設(shè)置可強(qiáng)化邊角的結(jié)構(gòu)，如大于90度的邊角、增厚的側(cè)邊、或是往內(nèi)側(cè)或外側(cè)延伸的延伸部，使得該裝置周圍可具有較為穩(wěn)定、強(qiáng)化的結(jié)構(gòu)，以保護(hù)裝置內(nèi)側(cè)的組件，避免發(fā)生結(jié)構(gòu)倒塌或毀損。藉此，可改善半導(dǎo)體裝置周圍的應(yīng)力，避免半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的倒塌或毀損。

附圖說明

圖1至圖2繪示本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例中半導(dǎo)體裝置的示意圖；其中

圖1為本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的俯視示意圖；以及

圖2為圖1沿切線A-A’的剖面示意圖；

圖3繪示本發(fā)明另一實(shí)施例中半導(dǎo)體裝置的示意圖；

圖4繪示本發(fā)明第二優(yōu)選實(shí)施例中半導(dǎo)體裝置的示意圖；

圖5繪示本發(fā)明第三優(yōu)選實(shí)施例中半導(dǎo)體裝置的示意圖；

圖6繪示本發(fā)明另一實(shí)施例中半導(dǎo)體裝置的示意圖；

圖7繪示本發(fā)明另一實(shí)施例中半導(dǎo)體裝置的示意圖；

圖8繪示本發(fā)明第四優(yōu)選實(shí)施例中半導(dǎo)體裝置的示意圖；

圖9繪示本發(fā)明另一實(shí)施例中半導(dǎo)體裝置的示意圖。

其中，附圖標(biāo)記說明如下：

100、基底；110、淺溝渠隔離；111、溝渠；113、介電層；130、有源結(jié)構(gòu)；131、第一有源區(qū)；132、開口；133、第二有源區(qū)；133a、第一邊；133b、第二邊；133c、第三邊；135、延伸部；431、第三有源區(qū)；435、延伸部；531、第三有源區(qū)。

具體實(shí)施方式