[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 202010899404.4
• 申請日: 2020-08-31
• 公開（公告）號: CN111969044B
• 公開（公告）日: 2022-05-20
• 發明（設計）人: 詹益旺;童宇誠;林剛毅;李甫哲;劉安淇;郭明峰;蔡建成
• 申請（專利權）人: 福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L21/762
• 代理公司: 上海思捷知識產權代理有限公司 31295
• 代理人: 盧云芊

1.一種半導體裝置，其特征在于包括：

一基底；

一有源結構，設置于所述基底內，所述有源結構包括多個第一有源區以及一第二有源區，多個所述第一有源區相互平行、相互分隔且交替地沿著一第一方向排列，所述第二有源區設置在多個所述第一有源區外側，其中，所述第二有源區還包括多個邊角，各所述邊角的角度大于90度；以及

一淺溝渠隔離，設置于所述基底內，所述淺溝渠隔離環繞所述有源結構；

所述第二有源區包圍多個所述第一有源區，所述第二有源區還包括：

至少一第一邊以及至少一第二邊，所述第一邊沿著一第二方向延伸，所述第二邊沿著一第三方向延伸，且所述第三方向垂直于所述第二方向；以及

至少一第三邊，所述第三邊設置于所述第一邊以及所述第二邊之間，且所述第三邊沿著一第四方向延伸；

所述的半導體裝置，其特征在于，多個所述第一有源區中的另一部分接觸所述第三邊，接觸所述第三邊的多個所述第一有源區的數量為至少五個。

2.依據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，多個所述第一有源區中的一部分接觸所述第一邊或所述第二邊，多個所述第一有源區中的另一部分不接觸所述第一邊或所述第二邊，其中，接觸所述第一邊或所述第二邊的多個所述第一有源區與不接觸所述第一邊或所述第二邊的多個所述第一有源區相互交替設置。

3.依據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第三邊的寬度大于所述第一邊或所述第二邊的寬度。

4.依據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第三邊的寬度大于所述第一有源區的寬度的2倍。

5.依據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第二有源區還包括至少一延伸部，設置在所述第一邊、所述第二邊或所述第三邊上。

6.依據權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于，所述延伸部沿著所述第一方向延伸。

7.依據權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，所述延伸部在所述第一方向上的長度不一致。

8.依據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第二有源區還包括至少一開口，所述開口設置在所述第一邊或所述第二邊上。

9.依據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第二有源區還包括多個開口，多個所述開口分別設置在所述第一邊以及所述第二邊上。

10.依據權利要求9所述的半導體裝置，其特征在于，各所述開口的尺寸不同。

11.依據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，各所述邊角具有不同的角度。

12.依據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，各所述邊角呈圓角化。

13.依據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述有源結構還包括多個第三有源區，所述第二有源區設置在多個所述第三有源區以及多個所述第一有源區之間，多個所述第三有源區相互平行、相互分隔且交替地沿著所述第一方向排列。

14.依據權利要求13所述的半導體裝置，其特征在于，多個所述第三有源區與所述第二有源區相互間隔一段距離，并且，一部分的淺溝渠隔離設置在多個所述第三有源區與所述第二有源區之間。

15.依據權利要求13所述的半導體裝置，其特征在于，多個所述第三有源區鄰接所述第二有源區的外側設置。