[發(fā)明專利]電子元件的接合結(jié)構(gòu)及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010899175.6
• 申請日: 2020-08-31
• 公開（公告）號: CN114121691A
• 公開（公告）日: 2022-03-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 許家福;楊凱銘;林溥如;柯正達(dá)
• 申請（專利權(quán)）人: 欣興電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L23/488
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 張娜;臧建明

本發(fā)明提供一種電子元件的接合結(jié)構(gòu)的制造方法包括以下步驟。提供包括第一導(dǎo)電接合部的第一電子組件。提供包括第二導(dǎo)電接合部的第二電子組件。形成第一有機(jī)高分子層于第一導(dǎo)電接合部上。形成第二有機(jī)高分子層于第二導(dǎo)電接合部上。通過第一導(dǎo)電接合部與第二導(dǎo)電接合部接合第一電子組件與第二電子組件，以使第一電子組件與第二電子組件電性連接。進(jìn)行接合后第一有機(jī)高分子層與第二有機(jī)高分子層擴(kuò)散至第一導(dǎo)電接合部與第二導(dǎo)電接合部內(nèi)。另提供一種電子元件的接合結(jié)構(gòu)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種接合結(jié)構(gòu)及其制造方法，尤其涉及一種電子元件的接合結(jié)構(gòu)及其制造方法。

背景技術(shù)

一般而言，會有諸多因素影響電子產(chǎn)品品質(zhì)。舉例而言，在電子元件的接合結(jié)構(gòu)中，其接合面因工藝條件常會具有氧化的問題，且欲接合元件的表面平坦度與自身材料特性(如材料本身的物質(zhì)組成與晶粒微結(jié)構(gòu))等也會影響接合強(qiáng)度。因此，如何設(shè)計(jì)出一種電子元件的接合結(jié)構(gòu)可以在有效改善接合面氧化的問題的同時(shí)提升接合強(qiáng)度，進(jìn)而可以具有較佳的產(chǎn)品品質(zhì)已成為本領(lǐng)域的技術(shù)人員的一大挑戰(zhàn)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明是針對一種一種電子元件的接合結(jié)構(gòu)及其制造方法，其可以在有效改善接合面氧化的問題的同時(shí)提升接合強(qiáng)度，進(jìn)而可以具有較佳的產(chǎn)品品質(zhì)。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，一種電子元件的接合結(jié)構(gòu)的制造方法包括而不限于以下步驟。提供包括而不限于第一導(dǎo)電接合部的第一電子組件。提供包括而不限于第二導(dǎo)電接合部的第二電子組件。形成第一有機(jī)高分子層于第一導(dǎo)電接合部上。形成第二有機(jī)高分子層于第二導(dǎo)電接合部上。通過第一導(dǎo)電接合部與第二導(dǎo)電接合部接合第一電子組件與第二電子組件，以使第一電子組件與第二電子組件電性連接。進(jìn)行接合后第一有機(jī)高分子層與第二有機(jī)高分子層擴(kuò)散至第一導(dǎo)電接合部與第二導(dǎo)電接合部內(nèi)。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的第一導(dǎo)電接合部與第二導(dǎo)電接合部為金屬對金屬接合。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的第一有機(jī)高分子層與第二有機(jī)高分子層的形成方法為使用有機(jī)高分子溶液對第一導(dǎo)電接合部與第二導(dǎo)電接合部進(jìn)行濕工藝。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的進(jìn)行濕工藝的步驟包括而不限于將第一導(dǎo)電接合部與第二導(dǎo)電接合部浸泡至有機(jī)高分子溶液中或?qū)Φ谝粚?dǎo)電接合部與第二導(dǎo)電接合部噴灑有機(jī)高分子溶液。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)電接合部的材料與第二導(dǎo)電接合部的材料為銅時(shí)，有機(jī)高分子溶液包括而不限于具有含氮的官能基、含硫的官能基或其組合的化合物。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的進(jìn)行接合前有機(jī)高分子層的厚度至少小于2微米。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的進(jìn)行接合前第一有機(jī)高分子層完全覆蓋第一導(dǎo)電接合部的裸露表面以及第二有機(jī)高分子層完全覆蓋第二導(dǎo)電接合部的裸露表面。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的當(dāng)進(jìn)行接合時(shí)第一有機(jī)高分子層的量與第二有機(jī)高分子層的量逐漸減少。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的第一有機(jī)高分子層的材料與第二有機(jī)高分子層的材料相同。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的第一有機(jī)高分子層的材料與第二有機(jī)高分子層的材料不具有導(dǎo)電性。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的第一電子組件與第二電子組件通過熱壓合工藝進(jìn)行接合。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的第一有機(jī)高分子層進(jìn)一步形成于第一電子組件相對于第一導(dǎo)電接合部的表面上且第二有機(jī)高分子層進(jìn)一步形成于第二電子組件相對于第二導(dǎo)電接合部的表面上。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，一種電子元件的接合結(jié)構(gòu)，包括而不限于第一電子組件以及第二電子組件。第一電子組件包括而不限于第一導(dǎo)電接合部。第二電子組件包括而不限于第二導(dǎo)電接合部。第二導(dǎo)電接合部接合于第一導(dǎo)電接合部，以使第一電子組件與第二電子組件電性連接。第一導(dǎo)電接合部與所述第二導(dǎo)電接合部內(nèi)的晶粒具有細(xì)微化晶粒分布的結(jié)構(gòu)。