[發明專利]電子元件的接合結構及其制造方法

在審

• 申請號: 202010899175.6
• 申請日: 2020-08-31
• 公開（公告）號: CN114121691A
• 公開（公告）日: 2022-03-01
• 發明（設計）人: 許家福;楊凱銘;林溥如;柯正達
• 申請（專利權）人: 欣興電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L23/488
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 張娜;臧建明

1.一種電子元件的接合結構的制造方法，其特征在于，包括：

提供包括第一導電接合部的第一電子組件；

提供包括第二導電接合部的第二電子組件；

形成第一有機高分子層于所述第一導電接合部上；以及

形成第二有機高分子層于所述第二導電接合部上，

通過所述第一導電接合部與所述第二導電接合部接合所述第一電子組件與所述第二電子組件，以使所述第一電子組件與所述第二電子組件電性連接，其中進行所述接合后所述第一有機高分子層與所述第二有機高分子層擴散至所述第一導電接合部與所述第二導電接合部內。

2.根據權利要求1所述的電子元件的接合結構的制造方法，其特征在于，所述第一導電接合部與所述第二導電接合部為金屬對金屬接合。

3.根據權利要求1所述的電子元件的接合結構的制造方法，其特征在于，所述第一有機高分子層與所述第二有機高分子層的形成方法為使用有機高分子溶液對所述第一導電接合部與所述第二導電接合部進行濕工藝。

4.根據權利要求3所述的電子元件的接合結構的制造方法，其特征在于，進行所述濕工藝的步驟包括：

將所述第一導電接合部與所述第二導電接合部浸泡至所述有機高分子溶液中；或

對所述第一導電接合部與所述第二導電接合部噴灑所述有機高分子溶液。

5.根據權利要求3所述的電子元件的接合結構的制造方法，其特征在于，當所述第一導電接合部的材料與所述第二導電接合部的材料為銅時，所述有機高分子溶液包括具有含氮的官能基、含硫的官能基或其組合的化合物。

6.根據權利要求1所述的電子元件的接合結構的制造方法，其特征在于，進行所述接合前所述有機高分子層的厚度至少小于2微米。

7.根據權利要求1所述的電子元件的接合結構的制造方法，其特征在于，進行所述接合前：

所述第一有機高分子層完全覆蓋所述第一導電接合部的裸露表面；以及

所述第二有機高分子層完全覆蓋所述第二導電接合部的裸露表面。

8.根據權利要求1所述的電子元件的接合結構的制造方法，其特征在于，當進行所述接合時所述第一有機高分子層的量與所述第二有機高分子層的量逐漸減少。

9.根據權利要求1所述的電子元件的接合結構的制造方法，其特征在于，所述第一有機高分子層的材料與所述第二有機高分子層的材料相同。

10.根據權利要求1所述的電子元件的接合結構的制造方法，其特征在于，所述第一有機高分子層的材料與所述第二有機高分子層的材料不具有導電性。

11.根據權利要求1所述的電子元件的接合結構的制造方法，其特征在于，所述第一電子組件與所述第二電子組件通過熱壓合工藝進行所述接合。

12.根據權利要求1所述的電子元件的接合結構的制造方法，其特征在于：

所述第一有機高分子層進一步形成于所述第一電子組件相對于所述第一導電接合部的表面上；且

所述第二有機高分子層進一步形成于所述第二電子組件相對于所述第二導電接合部的表面上。

13.一種電子元件的接合結構，其特征在于，包括：

第一電子組件，包括第一導電接合部；以及

第二電子組件，包括第二導電接合部，其中：

所述第二導電接合部接合于所述第一導電接合部，以使所述第一電子組件與所述第二電子組件電性連接；

所述第一導電接合部與所述第二導電接合部內的晶粒具有細微化晶粒分布的結構。