[發明專利]半導體裝置結構的制造方法在審
| 申請號： | 202010896551.6 | 申請日： | 2020-08-31 |
| 公開（公告）號： | CN112447596A | 公開（公告）日： | 2021-03-05 |
| 發明（設計）人： | 高偉智;江欣哲;簡妤珊;梁春昇;潘國華 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8234 | 分類號： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 聶慧荃;閆華 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 結構 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體裝置結構的制造方法，包括：
形成一鰭片結構，上述鰭片結構延伸至設置于一基板上的一介電隔離結構上方；
在上述鰭片結構的曝露表面上形成一半導體襯墊層；
在上述介電隔離結構上形成一第一覆蓋層，上述第一覆蓋層橫向地圍繞上述半導體襯墊層的一底部部分，上述半導體襯墊層的上述底部部分橫向地圍繞上述鰭片結構的一底部部分；
在上述半導體襯墊層的一上方部分上形成一第二覆蓋層，上述半導體襯墊層的上述上方部分橫向地圍繞上述鰭片結構的一上方部分；以及
退火其上具有上述半導體襯墊層、上述第一覆蓋層、以及上述第二覆蓋層的上述鰭片結構，以將一摻雜物自上述半導體襯墊層驅使入上述鰭片結構，其中上述鰭片結構的上述底部部分中的摻雜濃度曲線，不同于上述鰭片結構的上述上方部分中的摻雜濃度曲線。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
