[發明專利]量子點、其制造方法、包括其的量子點群和電致發光器件

在審

• 申請號: 202010895937.5
• 申請日: 2020-08-31
• 公開（公告）號: CN112442371A
• 公開（公告）日: 2021-03-05
• 發明（設計）人: 金星祐;J.A.金;金泰亨;樸建洙;元裕鎬;李晶姬;張銀珠;章效淑;韓用錫;鄭希在
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: C09K11/88
• 分類號: C09K11/88;C09K11/02;H01L51/50
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 金擬粲

本發明涉及量子點、其制造方法、包括其的量子點群和電致發光器件。量子點包括：包括第一半導體納米晶體的芯，所述第一半導體納米晶體包括鋅硫屬化物；和設置在所述芯的表面上并且包括鋅、硒和硫的半導體納米晶體殼。所述量子點不包括鎘，發射藍色光，并呈現出具有閃鋅礦結構的(100)面的通過透射電子顯微鏡圖像的快速傅里葉變換獲得的數字衍射圖樣，并且在所述量子點的X射線衍射光譜中，缺陷峰面積相對于閃鋅礦晶體結構的峰面積的比小于約0.8:1。還公開了制造所述量子點的方法和包括所述量子點的電致發光器件。

對相關申請的交叉引用

本申請要求于2019年8月29日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請No.10-2019-0106890的優先權、以及由其產生的所有權益，將其內容全部通過引用引入本文中。

技術領域

公開了量子點、量子點溶液、以及包括所述量子點或用所述量子點溶液制造的電致發光器件。

背景技術

也稱作量子點的半導體納米晶體顆粒是具有若干納米的尺寸的結晶材料。這樣的半導體納米晶體顆粒具有這樣小的尺寸，使得它們具有大的每單位體積的表面積并且呈現出量子限制效應，且因此具有與具有相同組成的塊體材料的特性不同的性質。量子點可吸收來自激發源的光以被激發，并且可發射能量。

發明內容

一種實施方式提供環境友好的量子點，其不包括有害的重金屬(例如，鎘)，并且其呈現出改善的光學(例如，光致發光或電致發光)性質。

另一實施方式提供制造所述量子點的方法。

另一實施方式提供包括所述量子點的發光器件。

在實施方式中，量子點不包括鎘并且發射藍色光(例如，在激發時)。所述量子點包括：包括第一半導體納米晶體的芯，所述第一半導體納米晶體包括鋅硫屬化物；和設置在所述芯的表面上的半導體納米晶體殼，所述殼包括鋅、硒和硫。在所述量子點的X射線衍射光譜中，缺陷峰面積相對于閃鋅礦晶體結構的峰面積的比小于約0.8:1。

所述量子點的通過透射電子顯微鏡法(例如，高分辨率TEM或高分辨率掃描TEM)圖像的快速傅里葉變換(在下文中，也稱作“FFT-TEM”)獲得的數字衍射圖樣(圖案)(例如具有[001]晶帶軸或具有預定的晶帶軸)可包括閃鋅礦結構的(100)面(或由其組成)。

所述量子點的最大發光峰波長可大于或等于約430納米(nm)。

所述量子點的最大發光峰波長可大于或等于約440nm、大于或等于約450nm、或者大于或等于約451nm。

所述量子點的最大發光峰波長可小于或等于約480nm。

所述量子點的最大發光峰波長可小于或等于約470nm。

所述量子點的最大發光峰可具有小于或等于約25nm的半寬度。

所述量子點的最大發光峰可具有小于或等于約20nm的半寬度。

所述鋅硫屬化物可包括鋅和硒、以及任選地碲。

在所述量子點中，碲相對于硒的摩爾比(Te:Se)可小于或等于約0.1:1或者小于或等于約0.05:1。

在所述量子點中，碲相對于硒的摩爾比(Te:Se)可小于或等于約0.03:1。

在所述量子點中，硫相對于硒的摩爾比(S:Se)可小于或等于約0.8:1。

在所述量子點中，硒相對于鋅的摩爾比可小于或等于約0.7:1。

所述半導體納米晶體殼可具有在徑向上變化的組成。