[發(fā)明專利]量子點、其制造方法、包括其的量子點群和電致發(fā)光器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010895937.5
• 申請日: 2020-08-31
• 公開（公告）號: CN112442371A
• 公開（公告）日: 2021-03-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 金星祐;J.A.金;金泰亨;樸建洙;元裕鎬;李晶姬;張銀珠;章效淑;韓用錫;鄭希在
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: C09K11/88
• 分類號: C09K11/88;C09K11/02;H01L51/50
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 金擬粲

1.量子點，包括：包括第一半導(dǎo)體納米晶體的芯，所述第一半導(dǎo)體納米晶體包括鋅硫?qū)倩铮缓驮O(shè)置在所述芯的表面上的半導(dǎo)體納米晶體殼，所述殼包括鋅、硒和硫，

其中所述量子點不包括鎘，并且配置為發(fā)射藍色光，和

在所述量子點的X射線衍射光譜中，缺陷峰面積相對于閃鋅礦晶體結(jié)構(gòu)的峰面積的比小于0.8:1。

2.如權(quán)利要求1所述的量子點，其中通過所述量子點的透射電子顯微鏡圖像的快速傅里葉變換獲得的數(shù)字衍射圖樣包括閃鋅礦結(jié)構(gòu)的(100)面。

3.如權(quán)利要求1所述的量子點，其中所述量子點的最大發(fā)光峰波長大于或等于430納米且小于或等于480納米。

4.如權(quán)利要求1所述的量子點，其中所述量子點的最大發(fā)光峰具有小于或等于25納米的半寬度。

5.如權(quán)利要求1所述的量子點，其中所述鋅硫?qū)倩锇ㄤ\和硒、以及任選地碲。

6.如權(quán)利要求1所述的量子點，其中在所述量子點中，硫相對于硒的摩爾比小于或等于0.8:1。

7.如權(quán)利要求1所述的量子點，其中在所述量子點中，硒相對于鋅的摩爾比小于或等于0.7:1。

8.如權(quán)利要求1所述的量子點，其中所述半導(dǎo)體納米晶體殼具有在徑向上變化的組成。

9.如權(quán)利要求1所述的量子點，其中所述半導(dǎo)體納米晶體殼包括直接設(shè)置在所述芯上的第一殼層和設(shè)置在所述第一殼層上的外部殼層，其中所述第一殼層包括具有與所述第一半導(dǎo)體納米晶體不同的組成的第二半導(dǎo)體納米晶體，和

所述外部殼層包括具有與所述第二半導(dǎo)體納米晶體不同的組成的第三半導(dǎo)體納米晶體。

10.如權(quán)利要求9所述的量子點，其中所述第二半導(dǎo)體納米晶體包括鋅和硒、以及任選地碲和硫的至少一種，和

所述第三半導(dǎo)體納米晶體包括鋅和硫。

11.如權(quán)利要求9所述的量子點，其中所述外部殼層為所述量子點的最外層。

12.如權(quán)利要求9所述的量子點，其中所述第一半導(dǎo)體納米晶體包括ZnTe_xSe_1-x，其中，x大于0且小于或等于0.05，所述第二半導(dǎo)體納米晶體包括鋅和硒，且所述第三半導(dǎo)體納米晶體包括鋅和硫。

13.如權(quán)利要求9所述的量子點，其中所述第一半導(dǎo)體納米晶體具有比所述第二半導(dǎo)體納米晶體的能帶隙小的能帶隙，和所述第二半導(dǎo)體納米晶體具有比所述第三半導(dǎo)體納米晶體的能帶隙小的能帶隙。

14.如權(quán)利要求1所述的量子點，其中所述量子點進一步包括氟和任選地氯。

15.如權(quán)利要求1所述的量子點，其中所述缺陷峰面積相對于閃鋅礦晶體結(jié)構(gòu)的峰面積的比小于0.5:1。

16.如權(quán)利要求14所述的量子點，其中所述缺陷峰面積相對于閃鋅礦晶體結(jié)構(gòu)的峰面積的比小于0.4:1。

17.如權(quán)利要求1所述的量子點，其中所述量子點在所述芯中不包括III-V族化合物。

18.如權(quán)利要求1所述的量子點，其中所述量子點具有大于或等于80％的量子效率。

19.量子點群，其包括多個如權(quán)利要求1-18任一項所述的量子點，其中所述量子點的平均顆粒尺寸小于或等于18nm。