[發(fā)明專利]晶圓翹曲度檢測裝置及方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010895829.8
• 申請日: 2020-08-31
• 公開（公告）號: CN112050719A
• 公開（公告）日: 2020-12-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 許有超;譚秀文;蘇亞青
• 申請（專利權(quán)）人: 華虹半導(dǎo)體（無錫）有限公司
• 主分類號: G01B5/28
• 分類號: G01B5/28;H01L21/66
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 羅雅文

本申請公開了一種晶圓翹曲度檢測裝置及方法，涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。該晶圓翹曲度檢測裝置至少包括支撐架和量測平板；支撐架由一個底座框架和四個支撐柱構(gòu)成，四個支撐柱垂直連接在底座框架的四個角上，支撐柱的長度相等；至少一個支撐柱上設(shè)置有刻度；量測平板的邊緣固定在四個支撐柱上；其中，在未向量測平板施加外力時，量測平板靜止；在向量測平板施加外力時，量測平板在外力作用下沿支撐柱移動；解決了傳統(tǒng)方法測量得到的超薄晶圓的翹曲度不能代表實際加工過程中翹曲度的問題；達(dá)到了優(yōu)化翹曲度檢測方法，提高翹曲度測量的準(zhǔn)確度的效果。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，具體涉及一種晶圓翹曲度檢測裝置及方法。

背景技術(shù)

隨著電子產(chǎn)品向小型化、薄型化、低功耗化發(fā)展，電子產(chǎn)品所需的芯片的厚度也越來越小，因此，在芯片制造過程中，晶圓背面的研磨量也越來越大。

然而，隨著晶圓背面研磨量的加大，一方面，晶圓應(yīng)力增大，另一方面，晶圓厚度降低令晶圓自身硬度降低，這兩方面都令晶圓的翹曲越來越嚴(yán)重。翹曲度變大會給芯片制造過程帶來碎片、劃傷等風(fēng)險，甚至可能導(dǎo)致參數(shù)漂移。因此，在芯片制造過程中需要收集晶圓的翹曲度。

目前，通常采用將晶圓放置在平臺上測量晶圓翹起的高度，根據(jù)得到的高度值計量晶圓的翹曲度。但是，在實際制造過程中，晶圓與支撐物之間的接觸面積會比放置在平臺上時小，現(xiàn)有方式測量出的翹曲度不能代表實際制造過程中的翹曲度。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決相關(guān)技術(shù)中的問題，本申請?zhí)峁┝艘环N晶圓翹曲度檢測裝置及方法。該技術(shù)方案如下：

第一方面，本申請實施例提供了一種晶圓翹曲度檢測裝置，至少包括支撐架和量測平板；

支撐架由一個底座框架和四個支撐柱構(gòu)成，四個支撐柱垂直連接在底座框架的四個角上，支撐柱的長度相等；

至少一個支撐柱上設(shè)置有刻度；

量測平板的邊緣固定在四個支撐柱上；

其中，在未向量測平板施加外力時，量測平板靜止；在向量測平板施加外力時，量測平板在外力作用下沿支撐柱移動。

可選的，四個支撐柱穿過量測平板的邊緣。

可選的，量測平板與待測晶圓的形狀、尺寸相同。

可選的，還包括兩個隔板；

兩個隔板平行設(shè)置在四個支撐柱的頂部；

其中，隔板的底部設(shè)置有固定座，通過固定座將隔板活動固定在支撐柱的頂部。

可選的，底座框架為正方形底座框架。

第二方面，本申請實施例提供了一種晶圓翹曲度檢測方法，應(yīng)用于如上述第一方面所示的晶圓翹曲度檢測裝置，該方法包括：

將待測晶圓放置在晶圓翹曲度檢測裝置的頂部；

控制晶圓翹曲度檢測裝置中的量測平板向上移動，當(dāng)量測平板與待測晶圓接觸時，停止移動量測平板；

獲取支撐柱上量測平板指示的刻度讀數(shù)。

可選的，當(dāng)測量待測晶圓在前開式晶圓傳送盒中的翹曲度時，將待測晶圓放置在晶圓翹曲度檢測裝置的頂部，包括：

檢測晶圓翹曲度檢測裝置的頂部是否設(shè)置有隔板；

若檢測到晶圓翹曲度檢測裝置的頂部未設(shè)置有隔板，則將兩個隔板放置在晶圓翹曲度檢測裝置的頂部，且兩個隔板平行放置，將待測晶圓放置在隔板上，由隔板支撐待測晶圓的邊緣；

若檢測到晶圓翹曲度檢測裝置的頂部設(shè)置有隔板，則將待測晶圓放置在隔板上，由隔板支撐待測晶圓的邊緣。