[發明專利]一種增強作用型克爾效應襯底

在審

• 申請號: 202010895768.5
• 申請日: 2020-08-31
• 公開（公告）號: CN111983824A
• 公開（公告）日: 2020-11-24
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 中山科立特光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/01
• 分類號: G02F1/01;G02F1/03;G02B5/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明提供了一種增強作用型克爾效應襯底，包括：基底、磁性材料層、孔洞，貴金屬薄膜，磁性材料層置于基底上，孔洞設置在磁性材料層的表面，孔洞周期性排列，貴金屬薄膜設置在孔洞的側壁上。應用時，入射光傾斜照射磁性材料部，入射光耦合進入磁性材料部中的孔洞并被聚集在孔洞內，在孔洞內形成強電場，該強電場與磁性材料層產生作用，增強了克爾效應。由于本發明中，在磁性材料層內設置孔洞，增加了磁性材料層與光的作用距離，增強了襯底的克爾效應，在克爾效應應用領域具有良好的應用前景。

技術領域

本發明涉及克爾效應應用領域，具體涉及一種增強作用型克爾效應襯底。

背景技術

克爾效應是指線偏振光入射到磁性材料上，反射光的偏振面發生旋轉的現象?？藸栃诖殴獯鎯?、三維成像、生物檢測等領域具有巨大的應用潛力。一般地，磁性材料的克爾效應弱，不利于克爾效應的應用。

發明內容

為解決以上問題，本發明提供了一種增強作用型克爾效應襯底，包括：基底、磁性材料層、孔洞，貴金屬薄膜，磁性材料層置于基底上，孔洞設置在磁性材料層的表面，孔洞周期性排列，貴金屬薄膜設置在孔洞的側壁上。

更進一步地，孔洞為圓形，孔洞按照方形周期排布。

更進一步地，孔洞為一維線柵形，孔洞按照一維方向周期性排布。

更進一步地，孔洞的寬度相等。

更進一步地，孔洞不貫穿磁性材料層。

更進一步地，貴金屬薄膜還覆蓋孔洞的底部。

更進一步地，孔洞的寬度大于20納米、小于200納米。

更進一步地，貴金屬薄膜的厚度大于10納米、小于100納米。

更進一步地，貴金屬薄膜的材料為金。

更進一步地，磁性材料層的材料為鈷、鉍鐵石榴石。

本發明的有益效果：本發明提供了一種增強作用型克爾效應襯底，包括：基底、磁性材料層、孔洞，貴金屬薄膜，磁性材料層置于基底上，孔洞設置在磁性材料層的表面，孔洞周期性排列，貴金屬薄膜設置在孔洞的側壁上。應用時，入射光傾斜照射磁性材料部，入射光耦合進入磁性材料部中的孔洞并被聚集在孔洞內，在孔洞內形成強電場，該強電場與磁性材料層產生作用，增強了克爾效應。由于本發明中，在磁性材料層內設置孔洞，增加了磁性材料層與光的作用距離，增強了襯底的克爾效應，在克爾效應應用領域具有良好的應用前景。

以下將結合附圖對本發明做進一步詳細說明。

附圖說明

圖1是一種增強作用型克爾效應襯底的示意圖。

圖2是又一種增強作用型克爾效應襯底的示意圖。

圖3是再一種增強作用型克爾效應襯底的示意圖。

圖中：1、基底；2、磁性材料層；3、孔洞；4、貴金屬薄膜。

具體實施方式

為進一步闡述本發明達成預定目的所采取的技術手段及功效，以下結合附圖及實施例對本發明的具體實施方式、結構特征及其功效，詳細說明如下。

實施例1