[發明專利]一種增強作用型克爾效應襯底在審
| 申請號： | 202010895768.5 | 申請日： | 2020-08-31 |
| 公開（公告）號： | CN111983824A | 公開（公告）日： | 2020-11-24 |
| 發明（設計）人： | 不公告發明人 | 申請（專利權）人： | 中山科立特光電科技有限公司 |
| 主分類號： | G02F1/01 | 分類號： | G02F1/01;G02F1/03;G02B5/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 528458 廣東省中山市中山火炬開發區中心城區港*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 增強 作用 克爾 效應 襯底 | ||
【權利要求書】：
1.一種增強作用型克爾效應襯底，其特征在于，包括：基底、磁性材料層、孔洞，貴金屬薄膜，所述磁性材料層置于所述基底上，所述孔洞設置在所述磁性材料層的表面，所述孔洞周期性排列，所述貴金屬薄膜設置在所述孔洞的側壁上。
2.如權利要求1所述的增強作用型克爾效應襯底，其特征在于：所述孔洞為圓形，所述孔洞按照方形周期排布。
3.如權利要求1所述的增強作用型克爾效應襯底，其特征在于：所述孔洞為一維線柵形，所述孔洞按照一維方向周期性排布。
4.如權利要求3所述的增強作用型克爾效應襯底，其特征在于：所述孔洞的寬度相等。
5.如權利要求1-4任一項所述的增強作用型克爾效應襯底，其特征在于：所述孔洞不貫穿所述磁性材料層。
6.如權利要求5所述的增強作用型克爾效應襯底，其特征在于：所述貴金屬薄膜還覆蓋所述孔洞的底部。
7.如權利要求6所述的增強作用型克爾效應襯底，其特征在于：所述孔洞的寬度大于20納米、小于200納米。
8.如權利要求7所述的增強作用型克爾效應襯底，其特征在于：所述貴金屬薄膜的厚度大于10納米、小于100納米。
9.如權利要求8所述的增強作用型克爾效應襯底，其特征在于：所述貴金屬薄膜的材料為金。
10.如權利要求9所述的增強作用型克爾效應襯底，其特征在于：所述磁性材料層的材料為鈷、鉍鐵石榴石。
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