[發(fā)明專利]一種存儲器制作方法

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• 申請日: 2020-08-31
• 公開（公告）號: CN114121813A
• 公開（公告）日: 2022-03-01
• 發(fā)明（設計）人: 盧經(jīng)文
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242
• 代理公司: 上海晨皓知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

本發(fā)明實施例提供一種存儲器制作方法，包括：提供基底，在基底上形成犧牲層；圖形化犧牲層，在基底上形成多個相互分立的偽位線層；形成支撐層，支撐層填充滿相鄰偽位線層之間的區(qū)域；去除偽位線層，形成位于相鄰支撐層之間的位線空間；形成位線結構，位線結構填充位線空間，且位線結構包括依次堆疊的位線導電層以及位線絕緣層；去除支撐層，形成位于相鄰位線層之間的開口。本發(fā)明實施例中提供的存儲器制作方法，避免了在刻蝕形成位線結構出現(xiàn)的位線導電層形貌缺陷問題，同時也可避免位線導電層出現(xiàn)過刻蝕的情況，改善位線導電層的受損情況，從而提高位線導電層的導電能力，改善存儲器的電學性能。

技術領域

本發(fā)明實施例涉及半導體領域，特別涉及一種存儲器的制作方法。

背景技術

存儲器是用來存儲程序和各種數(shù)據(jù)信息的記憶部件，按存儲器的使用類型可分為只讀存儲器和隨機存取存儲器。存儲器通常包括電容器以及與電容器連接的晶體管，電容器用來存儲代表存儲信息的電荷，晶體管是控制電容器的電荷流入和釋放的開關。位線導電層作為存儲器的位線結構的一部分，與位線絕緣層共同作為存儲器的位線結構。其中，位線結構的形成方法是依次沉積位線導電層以及位線絕緣層，再將位線導電層以及位線絕緣層刻蝕成相互分立的位線結構。

然而，在刻蝕位線結構時，需要刻蝕的深度較深，刻蝕出來的位線結構側(cè)壁往往會出現(xiàn)不夠垂直的情況，位線導電層會出現(xiàn)過刻蝕的情況，導致位線導電層受損，影響位線結構的導電性。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實施例的目的在于提供一種存儲器制作方法，有利于提高位線結構的導電性。

為解決上述問題，本發(fā)明實施例提供一種存儲器的制作方法，包括：提供基底，在基底上形成犧牲層；圖形化犧牲層，在基底上形成多個相互分立的偽位線層；形成支撐層，支撐層填充滿相鄰偽位線層之間的區(qū)域；去除偽位線層，形成位于相鄰支撐層之間的位線空間；形成位線結構，位線結構填充位線空間，且位線結構包括依次堆疊的位線導電層以及位線絕緣層；去除支撐層，形成位于相鄰位線結構之間的開口。

另外，形成位線結構的工藝步驟包括：在位線空間形成位線導電層，且位線導電層頂部低于支撐層頂部；在位線導電層頂部形成位線絕緣層，且位線絕緣層暴露出支撐層頂部。

另外，位線導電層包括依次堆疊的位線接觸窗以及位線導電柱；形成位線導電層的工藝步驟包括：形成填充滿位線空間的第一導電層；回刻蝕去除部分厚度的第一導電層，剩余第一導電層作為位線接觸窗；在位線接觸窗上形成填充滿位線空間的第二導電層；回刻蝕去除部分厚度的第二導電層，剩余第二導電層作為位線導電柱。

另外，采用濕法刻蝕工藝，回刻蝕去除部分厚度的第一導電層。

另外，形成支撐層的工藝步驟包括：在相鄰偽位線層之間形成初始支撐層，且初始支撐層還位于偽位線層頂部；對初始支撐層進行平坦化處理，去除高于偽位線層頂部的初始支撐層，形成支撐層；位線導電層包括位線接觸窗，且支撐層的材料與位線接觸窗的材料相同，形成初始支撐層的工藝溫度大于形成位線接觸窗的工藝溫度。

另外，支撐層與位線接觸窗的材料為多晶硅，其中，形成位線接觸窗的材料還具有摻雜離子；形成支撐層的工藝溫度為580℃～620℃，形成位線接觸窗的工藝溫度為480℃～520℃。

另外，支撐層的材料與位線絕緣層的材料不同。

另外，在形成支撐層之前，還包括：形成保護層，保護層覆蓋偽位線層側(cè)壁，且還位于相鄰偽位線層之間的基底上；去除支撐層之后，還包括：去除位于相鄰位線結構之間的基底上的保護層。

另外，形成保護層的工藝步驟包括：形成覆蓋偽位線層側(cè)壁、相鄰偽位線層之間的基底上的第一氮化硅層；在第一氮化硅層上形成氧化硅層；在氧化硅層上形成第二氮化硅層。

另外，犧牲層為單層結構。

與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明實施例提供的技術方案具有以下優(yōu)點：