[發明專利]一種存儲器制作方法

在審

• 申請號: 202010895429.7
• 申請日: 2020-08-31
• 公開（公告）號: CN114121813A
• 公開（公告）日: 2022-03-01
• 發明（設計）人: 盧經文
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242
• 代理公司: 上海晨皓知識產權代理事務所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

1.一種存儲器的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底，在所述基底上形成犧牲層；

圖形化所述犧牲層，在所述基底上形成多個相互分立的偽位線層；

形成支撐層，所述支撐層填充滿相鄰所述偽位線層之間的區域；

去除所述偽位線層，形成位于相鄰所述支撐層之間的位線空間；

形成位線結構，所述位線結構填充所述位線空間，且所述位線結構包括依次堆疊的位線導電層以及位線絕緣層；

去除所述支撐層，形成位于相鄰所述位線結構之間的開口。

2.根據權利要求1所述的存儲器的制作方法，其特征在于，形成所述位線結構的工藝步驟包括：在所述位線空間形成所述位線導電層，且所述位線導電層頂部低于所述支撐層頂部；在所述位線導電層頂部形成所述位線絕緣層，且所述位線絕緣層暴露出所述支撐層頂部。

3.根據權利要求2所述的存儲器的制作方法，其特征在于，所述位線導電層包括依次堆疊的位線接觸窗以及位線導電柱；形成所述位線導電層的工藝步驟包括：形成填充滿所述位線空間的第一導電層；回刻蝕去除部分厚度的所述第一導電層，剩余所述第一導電層作為所述位線接觸窗；在所述位線接觸窗上形成填充滿所述位線空間的第二導電層；回刻蝕去除部分厚度的所述第二導電層，剩余所述第二導電層作為所述位線導電柱。

4.根據權利要求3所述的存儲器的制作方法，其特征在于，采用濕法刻蝕工藝，回刻蝕去除部分厚度的所述第一導電層。

5.根據權利要求1所述的存儲器的制作方法，其特征在于，形成所述支撐層的工藝步驟包括：在相鄰所述偽位線層之間形成初始支撐層，且所述初始支撐層還位于所述偽位線層頂部；對所述初始支撐層進行平坦化處理，去除高于所述偽位線層頂部的所述初始支撐層，形成所述支撐層；所述位線導電層包括位線接觸窗，且所述支撐層的材料與所述位線接觸窗的材料相同，形成所述初始支撐層的工藝溫度大于形成所述位線接觸窗的工藝溫度。

6.根據權利要求5所述的存儲器的制作方法，其特征在于，所述支撐層與所述位線接觸窗的材料為多晶硅，其中，形成所述位線接觸窗的材料還具有摻雜離子；形成所述支撐層的工藝溫度為580℃～620℃，形成所述位線接觸窗的工藝溫度為480℃～520℃。

7.根據權利要求1所述的存儲器的制作方法，其特征在于，所述支撐層的材料與所述位線絕緣層的材料不同。

8.根據權利要求1所述的存儲器的制作方法，其特征在于，在形成所述支撐層之前，還包括：形成保護層，所述保護層覆蓋所述偽位線層側壁，且還位于相鄰所述偽位線層之間的所述基底上；去除所述支撐層之后，還包括：去除位于相鄰所述位線結構之間的所述基底上的所述保護層。

9.根據權利要求8所述的存儲器的制作方法，其特征在于，形成所述保護層的工藝步驟包括：形成覆蓋所述偽位線層側壁、相鄰所述偽位線層之間的所述基底上的第一氮化硅層；在所述第一氮化硅層上形成氧化硅層；在所述氧化硅層上形成第二氮化硅層。

10.根據權利要求1所述的存儲器的制作方法，其特征在于，所述犧牲層為單層結構。