[發(fā)明專利]一種空調(diào)器和IPM模塊自舉電路預(yù)充電控制方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010895124.6 | 申請(qǐng)日: | 2020-08-31 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112290783A | 公開(公告)日: | 2021-01-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 牛建勇;牟宗娥;尹發(fā)展;劉思聰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 海信(山東)空調(diào)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H02M1/32 | 分類號(hào): | H02M1/32;F24F11/88 |
| 代理公司: | 北京睿博行遠(yuǎn)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11297 | 代理人: | 龔家驊 |
| 地址: | 266700 山東省*** | 國(guó)省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 空調(diào)器 ipm 模塊 電路 充電 控制 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種空調(diào)器和IPM模塊自舉電路預(yù)充電控制方法,空調(diào)器的控制器被配置為:在對(duì)IPM模塊自舉電路中的自舉電容充電時(shí),控制各自舉單元中的第二芯片向第二晶體管輸出充電控制信號(hào),其中,所述充電控制信號(hào)為占空比小于100%的PWM信號(hào),通過(guò)采用低PWM占空比的充電方法控制平均充電電流,減小了自舉電阻的沖擊電應(yīng)力。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請(qǐng)涉及空調(diào)控制領(lǐng)域,更具體地,涉及一種空調(diào)器和IPM模塊自舉電路預(yù)充電控制方法。
背景技術(shù)
自舉電路通常由自舉二極管、自舉電容等電子元件組成,自舉電路的功能為可以使自舉電容的自舉電壓和電源電壓疊加,從而使電壓升高。通常,將自舉電路應(yīng)用于負(fù)載電機(jī)的IPM模塊時(shí),可以實(shí)現(xiàn)IPM模塊的單電源供電。在負(fù)載電機(jī)的啟動(dòng)過(guò)程中,自舉電路為IPM模塊的上橋臂的正常工作提供自舉電壓。通常,為了保證負(fù)載電機(jī)的正常運(yùn)轉(zhuǎn),自舉電壓和電源電壓疊加產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)電壓需要滿足上橋臂的正常工作電壓。
現(xiàn)有技術(shù)中,給IPM模塊的自舉電路充電時(shí),采用PWM占空比100%的直通式充電,導(dǎo)致流過(guò)充電電阻的沖擊電流過(guò)大,最終導(dǎo)致自舉電阻過(guò)流損壞。且三路自舉電路同時(shí)充電,導(dǎo)致總的電流很大,對(duì)開關(guān)電源造成了很大的沖擊,同時(shí)在IPM下橋臂的采樣電阻處也流過(guò)很大的電流,極易觸發(fā)過(guò)流保護(hù),進(jìn)而誤報(bào)過(guò)流保護(hù)故障。
因此,如何提出一種可以減小IPM模塊自舉電路預(yù)充電時(shí)自舉電阻的沖擊電流的空調(diào)器,是目前有待解決的技術(shù)問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提出了一種空調(diào)器,用以解決現(xiàn)有技術(shù)中給IPM模塊的自舉電路充電時(shí),流過(guò)充電電阻的沖擊電流過(guò)大的技術(shù)問(wèn)題。
所述空調(diào)器包括:
冷媒循環(huán)回路,使冷媒在壓縮機(jī)、冷凝器、膨脹閥、蒸發(fā)器、四通閥和減壓器組成回路中進(jìn)行循環(huán);
壓縮機(jī),用于進(jìn)行將低溫低壓冷媒氣體壓縮成高溫高壓冷媒氣體并排至冷凝器的工作;
室外熱交換器和室內(nèi)熱交換器,其中,一個(gè)為冷凝器進(jìn)行工作,另一個(gè)為蒸發(fā)器進(jìn)行工作;
IPM模塊自舉電路,包括三路自舉單元,各所述自舉單元包括自舉電阻、二極管、自舉電容、第一芯片、第一晶體管、第二芯片、第二晶體管和采樣電阻,其中,所述自舉電阻和二極管串聯(lián)于第一電平端與所述第一芯片的電源引腳之間;所述自舉電容串聯(lián)于所述第一芯片的電源引腳與所述第一晶體管的漏極之間;所述第一晶體管的柵極連接所述第一芯片的輸出引腳;所述第一晶體管的源極連接高電平端;所述第一晶體管的漏極連接相電壓輸出端;所述第二芯片的第一電源引腳連接所述第一電平端,所述第二芯片的第二電源引腳連接第二電平端;所述第二晶體管的柵極連接所述第二芯片的輸出引腳;所述第二晶體管的源極連接相電壓輸出端;所述采樣電阻串聯(lián)于所述第二晶體管的漏極和接地端之間;
控制器被配置為,包括:
在對(duì)所述自舉電容充電時(shí),控制各所述自舉單元中的所述第二芯片向所述第二晶體管輸出充電控制信號(hào),其中,所述充電控制信號(hào)為占空比小于100%的PWM信號(hào)。
在本申請(qǐng)一些實(shí)施例中,所述控制器具體被配置為:
依次單獨(dú)控制各所述自舉單元中的所述第二芯片向所述第二晶體管輸出對(duì)應(yīng)的一路所述充電控制信號(hào)。
在本申請(qǐng)一些實(shí)施例中,所述控制器還被配置為:
向各所述自舉單元中的所述第二芯片發(fā)送預(yù)置信號(hào),基于所述預(yù)置信號(hào)使所述第二芯片產(chǎn)生所述充電控制信號(hào),所述預(yù)置信號(hào)為PWM信號(hào)。
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