[發(fā)明專利]一種空調(diào)器和IPM模塊自舉電路預(yù)充電控制方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010895124.6
• 申請日: 2020-08-31
• 公開（公告）號: CN112290783A
• 公開（公告）日: 2021-01-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 牛建勇;牟宗娥;尹發(fā)展;劉思聰
• 申請（專利權(quán)）人: 海信（山東）空調(diào)有限公司
• 主分類號: H02M1/32
• 分類號: H02M1/32;F24F11/88
• 代理公司: 北京睿博行遠(yuǎn)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11297
• 代理人: 龔家驊

1.一種空調(diào)器，其特征在于，所述空調(diào)器包括：

冷媒循環(huán)回路，使冷媒在壓縮機(jī)、冷凝器、膨脹閥、蒸發(fā)器、四通閥和減壓器組成回路中進(jìn)行循環(huán)；

壓縮機(jī)，用于進(jìn)行將低溫低壓冷媒氣體壓縮成高溫高壓冷媒氣體并排至冷凝器的工作；

室外熱交換器和室內(nèi)熱交換器，其中，一個為冷凝器進(jìn)行工作，另一個為蒸發(fā)器進(jìn)行工作；

IPM模塊自舉電路，包括三路自舉單元，各所述自舉單元包括自舉電阻、二極管、自舉電容、第一芯片、第一晶體管、第二芯片、第二晶體管和采樣電阻，其中，所述自舉電阻和二極管串聯(lián)于第一電平端與所述第一芯片的電源引腳之間；所述自舉電容串聯(lián)于所述第一芯片的電源引腳與所述第一晶體管的漏極之間；所述第一晶體管的柵極連接所述第一芯片的輸出引腳；所述第一晶體管的源極連接高電平端；所述第一晶體管的漏極連接相電壓輸出端；所述第二芯片的第一電源引腳連接所述第一電平端，所述第二芯片的第二電源引腳連接第二電平端；所述第二晶體管的柵極連接所述第二芯片的輸出引腳；所述第二晶體管的源極連接相電壓輸出端；所述采樣電阻串聯(lián)于所述第二晶體管的漏極和接地端之間；

控制器被配置為，包括：

在對所述自舉電容充電時，控制各所述自舉單元中的所述第二芯片向所述第二晶體管輸出充電控制信號，其中，所述充電控制信號為占空比小于100％的PWM信號。

2.如權(quán)利要求1所述的空調(diào)器，其特征在于，所述控制器具體被配置為：

依次單獨控制各所述自舉單元中的所述第二芯片向所述第二晶體管輸出對應(yīng)的一路所述充電控制信號。

3.如權(quán)利要求1所述的空調(diào)器，其特征在于，所述控制器還被配置為：

向各所述自舉單元中的所述第二芯片發(fā)送預(yù)置信號，基于所述預(yù)置信號使所述第二芯片產(chǎn)生所述充電控制信號，所述預(yù)置信號為PWM信號。

4.一種IPM模塊自舉電路預(yù)充電控制方法，其特征在于，所述方法應(yīng)用于包括冷媒循環(huán)回路、壓縮機(jī)、室外熱交換器、室內(nèi)熱交換器、IPM模塊自舉電路和控制器的空調(diào)器中，所述IPM模塊自舉電路包括三路自舉單元，各所述自舉單元包括自舉電阻、二極管、自舉電容、第一芯片、第一晶體管、第二芯片、第二晶體管和采樣電阻，其中，所述自舉電阻和二極管串聯(lián)于第一電平端與所述第一芯片的電源引腳之間；所述自舉電容串聯(lián)于所述第一芯片的電源引腳與所述第一晶體管的漏極之間；所述第一晶體管的柵極連接所述第一芯片的輸出引腳；所述第一晶體管的源極連接高電平端；所述第一晶體管的漏極連接相電壓輸出端；所述第二芯片的第一電源引腳連接所述第一電平端，所述第二芯片的第二電源引腳連接第二電平端；所述第二晶體管的柵極連接所述第二芯片的輸出引腳；所述第二晶體管的源極連接相電壓輸出端；所述采樣電阻串聯(lián)于所述第二晶體管的漏極和接地端之間，所述方法包括：

在對所述自舉電容充電時，控制各所述自舉單元中的所述第二芯片向所述第二晶體管輸出充電控制信號，其中，所述充電控制信號為占空比小于100％的PWM信號。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，控制各所述自舉單元中的所述第二芯片向所述第二晶體管輸出充電控制信號，具體為：

依次單獨控制各所述自舉單元中的所述第二芯片向所述第二晶體管輸出對應(yīng)的一路所述充電控制信號。

6.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，在控制各所述自舉單元中的所述第二芯片向所述第二晶體管輸出充電控制信號之前，還包括：

向各所述自舉單元中的所述第二芯片發(fā)送預(yù)置信號，基于所述預(yù)置信號使所述第二芯片產(chǎn)生所述充電控制信號，所述預(yù)置信號為PWM信號。