[發明專利]微型半導體結構及其制造方法

在審

• 申請號: 202010894052.3
• 申請日: 2020-08-31
• 公開（公告）號: CN111969004A
• 公開（公告）日: 2020-11-20
• 發明（設計）人: 吳柏威;楊翔甯;羅玉云;史詒君
• 申請（專利權）人: 錼創顯示科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L27/32;H01L33/00;H01L51/56;H01L21/78
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 聶慧荃;閆華

一種微型半導體結構及其制造方法，其中微型半導體結構包含一基板、一解離層、一保護層及一微型半導體。解離層位于基板的一側，保護層位于基板兩側中的至少一側，微型半導體位于基板兩側中與解離層相同的一側。保護層對波長小于360nm的光源穿透率小于20％。借此，保護層可在激光解離工藝中避免微型半導體受激光光源照射而產生異常或損壞。

技術領域

本公開內容涉及一種微型半導體結構及其制造方法，且特別是一種應用在激光解離工藝的微型半導體結構及其制造方法。

背景技術

近年來，各類電子裝置廣泛應用各種微型半導體，例如：有機發光二極管(OrganicLight-Emitting Diode；OLED)或微型發光二極管(Micro Light-Emitting Diode；MicroLED)。制作微型半導體的過程中，微型半導體經常需要在不同基板上進行加工，而工藝上經常以激光解離(Laser Lift-Off；LLO)工藝使微型半導體脫離基板，以利微型半導體在不同基板間轉移并進行加工。然而在微型半導體微縮至微米等級后，在激光解離工藝中，微型半導體經常因為激光光源照射產生異常或損壞。因此，發展一種適合激光解離工藝的微型半導體結構及其制造方法遂成為產業上重要且急欲解決的問題。

發明內容

本公開內容提供一種微型半導體結構及其制造方法，通過配置對激光光有低穿透率的保護層降低激光解離工藝中微型半導體結構的損壞率。

依據本公開內容一實施方式提供一種微型半導體結構，包含一基板、一解離層、一保護層及一微型半導體。解離層位于基板的一側，保護層位于基板兩側中的至少一側，微型半導體位于基板兩側中與解離層相同的一側。保護層對波長小于360nm的光源穿透率小于20％。

依據前段所述實施方式的微型半導體結構，其中保護層的楊氏模量大于解離層的楊氏模量。

依據前段所述實施方式的微型半導體結構，其中解離層、保護層及微型半導體皆位于基板的同一側，且解離層設置于基板上，保護層設置于解離層上，微型半導體設置于保護層上。

依據前段所述實施方式的微型半導體結構，其可還包含一易移除層，設置于保護層與微型半導體之間。

依據前段所述實施方式的微型半導體結構，其中易移除層與解離層皆為有機材質，保護層為無機材質。

依據前段所述實施方式的微型半導體結構，其中保護層為一圖案化結構。

依據前段所述實施方式的微型半導體結構，其中保護層投影至基板的一總面積與解離層投影至基板的一面積的比值可介于0.5與1之間。

依據前段所述實施方式的微型半導體結構，其中解離層可對應設置于保護層下，且保護層于基板的一投影面積大于或等于解離層于基板的一投影面積。

依據前段所述實施方式的微型半導體結構，其中保護層可包含金屬材料。

依據前段所述實施方式的微型半導體結構，其中保護層可包含一第一保護層以及一第二保護層，且第二保護層與第一保護層可交錯設置。

依據前段所述實施方式的微型半導體結構，其中微型半導體于基板投影的任意位置皆與第一保護層或第二保護層于基板的投影相重疊。

依據前段所述實施方式的微型半導體結構，其中解離層垂直于基板的一截面積朝向基板的方向逐漸縮小。

依據前段所述實施方式的微型半導體結構，其中微型半導體還包含一絕緣層，且絕緣層位于微型半導體與保護層之間。

依據前段所述實施方式的微型半導體結構，其中微型半導體或保護層于基板的投影面積大于解離層于基板的投影面積。