[發明專利]微型半導體結構及其制造方法

在審

• 申請號: 202010894052.3
• 申請日: 2020-08-31
• 公開（公告）號: CN111969004A
• 公開（公告）日: 2020-11-20
• 發明（設計）人: 吳柏威;楊翔甯;羅玉云;史詒君
• 申請（專利權）人: 錼創顯示科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L27/32;H01L33/00;H01L51/56;H01L21/78
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 聶慧荃;閆華

1.一種微型半導體結構，其特征在于，包含：

一基板；

一解離層，位于該基板的一側；

一保護層，位于該基板的至少一側；以及

一微型半導體，位于該基板的該側；

其中，該保護層對波長小于360nm的一光源的穿透率小于20％。

2.如權利要求1所述的微型半導體結構，其特征在于，該保護層的一楊氏模量大于該解離層的一楊氏模量。

3.如權利要求1所述的微型半導體結構，其特征在于，該解離層、該保護層、該微型半導體皆位于該基板的該側，且該解離層設置于該基板上，該保護層設置于該解離層上，該微型半導體設置于該保護層上。

4.如權利要求3所述的微型半導體結構，其特征在于，還包含：

一易移除層，設置于該保護層與該微型半導體之間。

5.如權利要求4所述的微型半導體結構，其特征在于，該易移除層與該解離層皆為有機材質，該保護層為無機材質。

6.如權利要求1所述的微型半導體結構，其特征在于，該保護層為一圖案化結構。

7.如權利要求6所述的微型半導體結構，其特征在于，該保護層投影至該基板的一總面積與該解離層投影至該基板的一面積的比值介于0.5與1之間。

8.如權利要求6所述的微型半導體結構，其特征在于，該解離層對應設置于該保護層下，且該保護層于該基板的一投影面積大于或等于該解離層于該基板的一投影面積。

9.如權利要求8所述的微型半導體結構，其特征在于，該保護層包含金屬材料。

10.如權利要求1所述的微型半導體結構，其特征在于，該保護層包含一第一保護層以及一第二保護層，且該第二保護層與該第一保護層交錯設置。

11.如權利要求10所述的微型半導體結構，其特征在于，該微型半導體于該基板投影的任意位置皆與該第一保護層或該第二保護層于該基板的投影相重疊。

12.如權利要求1所述的微型半導體結構，其特征在于，該解離層垂直于該基板的一截面積朝向該基板逐漸縮小。

13.如權利要求1所述的微型半導體結構，其特征在于，該微型半導體還包含一絕緣層，該絕緣層位于該微型半導體與該保護層之間。

14.如權利要求1所述的微型半導體結構，其特征在于，該微型半導體或該保護層于該基板的一投影面積大于該解離層于該基板的一投影面積。

15.一種微型半導體結構的制造方法，其特征在于，包含：

一基板提供步驟，提供一基板；

一解離層設置步驟，設置一解離層于該基板的一側；

一保護層設置步驟，設置一保護層位于該基板的至少一側；以及

一微型半導體設置步驟，設置一微型半導體位于該基板的該側；

其中，該保護層對波長小于360nm的一光源的一穿透率小于20％。

16.如權利要求15所述的微型半導體結構的制造方法，其特征在于，還包含：

一易移除層設置步驟，設置一易移除層于該微型半導體與該保護層之間。

17.如權利要求15所述的微型半導體結構的制造方法，其特征在于，當通過該光源對該解離層進行解離時，該光源與該保護層對應設置于該解離層的二側。