[發明專利]微型發光二極管顯示裝置及其制造方法在審
| 申請號: | 202010893704.1 | 申請日: | 2020-08-31 |
| 公開(公告)號: | CN111969003A | 公開(公告)日: | 2020-11-20 |
| 發明(設計)人: | 羅玉云;吳柏威;史詒君;丁子鈺;廖冠詠 | 申請(專利權)人: | 錼創顯示科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/44;H01L33/48;H01L33/50;H01L33/62 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 聶慧荃;閆華 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科學園*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 微型 發光二極管 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
本發明提供一種微型發光二極管顯示裝置及其制造方法,其中微型發光二極管顯示裝置包含微型發光單元、基板及導電層組。微型發光單元包含多個微型發光元件。微型發光元件包含半導體層組及電極組。半導體層組包含第一型半導體層及第二型半導體層。電極組包含第一型電極及第二型電極,第一型電極與第二型電極分別與第一型半導體層及第二型半導體層連接。導電層組包含第一型導電層與第二型導電層,第一型導電層與第一型電極連接,第二型導電層與第二型電極連接。微型發光單元設置于基板上,電極組朝向基板,且電極組與基板具有一間距。借此,降低在制造過程中的微型發光元件損壞率。
技術領域
本發明涉及一種顯示裝置及其制造方法,特別涉及一種微型發光二極管顯示裝置及其制造方法。
背景技術
現今的顯示裝置產業中,發光二極管顯示器正逐漸成為主流趨勢,其中微型發光二極管顯示器更是目前的研發重點。然而,當前的微型發光二極管顯示器工藝中仍存在待克服的技術難題。
微型發光二極管顯示器工藝中需自晶圓轉移巨量的發光二極管至面板,在轉移的過程中容易發生部分發光二極管掉落或是無法準確地安裝在面板上等問題。由此可知,目前產業中缺乏一種可準確對位、降低發光二極管毀損率的微型發光二極管顯示裝置及其制造方法。
發明內容
因此,本發明的目的在于提供一種微型發光二極管顯示裝置及其制造方法,其先在微型發光單元的微型發光元件上設置導電層組,再將微型發光單元設置于基板,借此降低本發明的微型發光二極管顯示裝置在制造過程中的微型發光元件損壞率,同時可避免巨量轉移時微型發光元件與導電層組無法準確對位的問題。
依據本發明的結構樣式的一實施方式提供一種微型發光二極管顯示裝置,包含微型發光單元、導電層組及基板。微型發光單元包含多個微型發光元件。每一微型發光元件包含半導體層組及電極組。半導體層組包含第一型半導體層、發光層及第二型半導體層。電極組包含第一型電極及第二型電極,第一型電極與第二型電極分別與第一型半導體層及第二型半導體層電性連接。導電層組包含第一型導電層與第二型導電層,第一型導電層與第一型電極電性連接,第二型導電層與第二型電極電性連接。微型發光單元設置于基板上,電極組朝向基板且與基板具有一間距。
借此,本發明的微型發光二極管顯示裝置將導電層組設置于微型發光元件,可避免巨量轉移時微型發光元件與導電層組無法準確對位的問題。
前述實施方式的其他實施例如下:前述微型發光二極管顯示裝置還包含色轉換層組,色轉換層組設置于微型發光單元的一側,并用以轉換各微型發光元件所產生的光線的顏色。
前述實施方式的其他實施例如下:前述微型發光單元還包含絕緣層,絕緣層設置于導電層組及半導體層組之間,并用以隔絕導電層組及各半導體層組。
前述實施方式的其他實施例如下:前述多個微型發光元件通過絕緣層相互固定。
前述實施方式的其他實施例如下:前述基板為顯示基板,顯示基板包含顯示區及非顯示區。顯示區設置于微型發光單元的另一側。非顯示區設有連接器與工作電路,工作電路通過連接器與控制裝置電性連接。
前述實施方式的其他實施例如下:前述微型發光二極管顯示裝置還包含隔離層,隔離層連接于導電層組與基板之間,且用以隔離導電層組及基板。
前述實施方式的其他實施例如下:前述多個微型發光元件排列成矩陣,矩陣包含多行及多列,各行與各列互相垂直。
前述實施方式的其他實施例如下:前述排列于多行的部分多個微型發光元件的多個第一型電極與第一型導電層連接,排列于多列的部分多個微型發光元件的多個第二型電極與第二型導電層連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





