[發明專利]等離子體處理裝置和溫度控制方法

在審

• 申請號: 202010893601.5
• 申請日: 2020-08-31
• 公開（公告）號: CN112466736A
• 公開（公告）日: 2021-03-09
• 發明（設計）人: 川上聰;池田太郎
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;徐飛躍

本發明提供一種等離子體處理裝置和溫度控制方法。在一個例示的實施方式中，等離子體處理裝置包括多個微波輻射機構、載置臺、下部加熱源和上部加熱源。多個微波輻射機構設置于處理容器的上部。載置臺配置于處理容器內。下部加熱源設置于載置臺內。上部加熱源配置于與載置臺相對的位置。根據本發明，能夠形成品質優良的膜。

技術領域

本發明的例示的實施方式涉及等離子體處理裝置和溫度控制方法。

背景技術

在專利文獻1所記載的等離子體處理裝置中，在650℃下形成Ti膜后，降溫至200～300℃，然后，將NF₃氣體等導入處理容器內進行清潔處理。在清潔處理完成后，再次升溫至650℃，開始進行Ti膜的成膜。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1；日本特開平11-16858號公報。

發明內容

發明要解決的技術問題

希望一種能夠形成與現有技術相比品質優良的膜的等離子體處理裝置及其溫度控制方法。

用于解決問題的技術手段

在一個例示的實施方式中，等離子體處理裝置包括多個微波輻射機構、載置臺、下部加熱源和上部加熱源。多個微波輻射機構設置于處理容器的上部。載置臺配置于處理容器內。下部加熱源設置于載置臺內。上部加熱源配置于與載置臺相對的位置。

發明效果

依照一個例示的實施方式的等離子體處理裝置及其溫度控制方法，能夠形成品質優良的膜。

附圖說明

圖1是表示一個例示的實施方式的等離子體處置裝置的裝置結構的說明圖。

圖2是等離子體處理裝置的上部結構的立體圖。

圖3是等離子體處理裝置的上部結構的俯視圖。

圖4是等離子體處理裝置的上部結構的底視圖。

圖5是微波輻射機構的縱截面圖。

圖6是上部加熱源的俯視圖。

圖7是另一上部加熱源的俯視圖。

圖8是等離子體處理裝置的另一上部結構的俯視圖。

圖9是等離子體處理裝置的又一上部結構的俯視圖。

圖10是等離子體處理裝置的系統構成圖。

圖11是表示溫度隨時間的變化的時序圖。

圖12是表示一個例示的實施方式的等離子體處置裝置的裝置結構的說明圖。

附圖標記說明

1……處理容器，3……蓋部件，4……排氣通路，6……下部電極，8……透明窗，10……氣源，11……流量控制器，12……控制器，13……高頻發生器，14……排氣裝置，20……支承基片，21……發光半導體芯片，22……間隔件，63……微波輻射機構，66……外側導體，67……內側導體，71……平面天線，71a……隙縫，72……微波延遲部件，73……電介質窗，74A……塊狀件，74B……塊狀件，104……上部金屬板，DRV……驅動機構，GH……氣孔，LH……上部加熱源，LS……載置臺，SP……等離子體生成空間，TEMP……下部加熱源，W……基片。

具體實施方式

下面，對各種例示的實施方式進行說明。

在一個例示的實施方式中，等離子體處理裝置包括：設置于處理容器的上部的多個微波輻射機構；配置于處理容器內的載置臺；設置于載置臺內的下部加熱源；和配置于與載置臺相對的位置的上部加熱源。