[發明專利]等離子體處理裝置和溫度控制方法

在審

• 申請號: 202010893601.5
• 申請日: 2020-08-31
• 公開（公告）號: CN112466736A
• 公開（公告）日: 2021-03-09
• 發明（設計）人: 川上聰;池田太郎
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;徐飛躍

1.一種等離子體處理裝置，其特征在于，包括：

設置于處理容器的上部的多個微波輻射機構；

配置于所述處理容器內的載置臺；

設置于所述載置臺內的下部加熱源；和

配置于與所述載置臺相對的位置的上部加熱源。

2.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述上部加熱源是加熱燈。

3.如權利要求1或2所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

還包括設置于所述處理容器且與成膜用的氣源連接的氣體導入口。

4.如權利要求1～3中任一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

還包括與所述下部加熱源和所述上部加熱源連接的控制器，

根據來自所述控制器的指示，

在等離子體處理時，所述下部加熱源和所述上部加熱源一起進行加熱，

在清潔時，所述下部加熱源以等離子體處理時的A％的輸出功率進行加熱，所述上部加熱源以等離子體處理時的B％的輸出功率進行加熱，其中，B＜A。

5.如權利要求4所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

A％為50％以上100％以下，B％為0％以上50％以下。

6.一種等離子體處理裝置中的溫度控制方法，其中，所述等離子體處理裝置包括：

設置于處理容器的上部的多個微波輻射機構；

配置于所述處理容器內的載置臺；

設置于所述載置臺內的下部加熱源；和

配置于與所述載置臺相對的位置的上部加熱源，

所述溫度控制方法的特征在于，包括如下步驟，即：

在等離子體處理時，從多個所述微波輻射機構輻射微波，生成等離子體，并且使所述下部加熱源和所述上部加熱源一起進行加熱的步驟。

7.如權利要求6所述的溫度控制方法，其特征在于：

還包括在清潔時使所述下部加熱源以等離子體處理時的A％的輸出功率進行加熱，并且使所述上部加熱源以等離子體處理時的B％的輸出功率進行加熱的步驟，其中，B＜A。

8.如權利要求7所述的溫度控制方法，其特征在于：

在所述等離子體處理時和所述清潔時這兩個期間，對所述下部加熱源進行控制以使所述下部加熱源單獨工作而導致的所述載置臺達到的溫度低于等離子體處理溫度，

在所述清潔時進行控制，以使得與所述等離子體處理時相比所述上部加熱源的輸出功率降低，使所述載置臺成為所述清潔時的溫度。