[發明專利]半導體結構以及靜電放電保護電路

在審

• 申請號: 202010893194.8
• 申請日: 2020-08-31
• 公開（公告）號: CN114121932A
• 公開（公告）日: 2022-03-01
• 發明（設計）人: 林群祐;陳俊成;王文泰
• 申請（專利權）人: 創意電子股份有限公司;臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種半導體結構，其特征在于，至少對應一第一二極管以及一第二二極管且該第一二極管與該第二二極管串聯連接，其中該半導體結構包含：

一第一深井區，位于一基板之上；

一第一井區，位于該第一深井區之上；

兩第二井區，位于該第一井區的兩側；

一第一摻雜區，位于該第一井區之上；

一第二摻雜區，位于該第一井區之上，其中該第一摻雜區與該第二摻雜區之間配置有一第一隔離區；

一第二深井區，位于該基板之上；

一第三井區，位于該第二深井區之上；

兩第四井區，位于該第三井區的兩側；

一第三摻雜區，位于該第三井區之上；以及

一第四摻雜區，位于該第三井區之上，其中該第三摻雜區與該第四摻雜區之間配置有一第二隔離區，其中該第二摻雜區連接該第三摻雜區。

2.根據權利要求1中的半導體結構，其特征在于，其中該第一深井區、該第二深井區、所述兩第二井區、該第二摻雜區、所述兩第四井區以及該第四摻雜區為N型，其中該第一井區、該第一摻雜區、該第三井區以及該第三摻雜區為P型。

3.根據權利要求2中的半導體結構，其特征在于，還包含：

一第五井區，位于所述兩第二井區中的一者與所述兩第四井區中的一者之間，且該第五井區為P型。

4.根據權利要求1中的半導體結構，其特征在于，其中該第二深井區分離于該第一深井區。

5.根據權利要求4中的半導體結構，其特征在于，其中該基板包含一突出部，且該突出部位于該第二深井區與該第一深井區之間。

6.一種靜電放電保護電路，其特征在于，包含：

一第一二極管串，包含多個二極管，其中該第一二極管串聯連接于一輸入/輸出端與一電源電壓之間，其中該第一二極管串包含如權利要求1中的半導體結構，

其中當該輸入/輸出端發生一第一靜電放電事件，一第一靜電放電電流流經該第一二極管串。

7.根據權利要求6中的靜電放電保護電路，其特征在于，其中該第二深井區分離于該第一深井區。

8.根據權利要求7中的靜電放電保護電路，其特征在于，其中該基板包含一突出部，且該突出部位于該第二深井區與該第一深井區之間。

9.根據權利要求6中的靜電放電保護電路，其特征在于，其中該第一摻雜區為該第一二極管串的陽極端，且該第四摻雜區為該第一二極管串的陰極端。

10.根據權利要求6中的靜電放電保護電路，其特征在于，還包含：

一第二二極管串，包含多個二極管，其中該第二二極管串聯連接于該輸入/輸出端以及一地端之間，

其中當該輸入/輸出端發生一第二靜電放電事件，一第二靜電放電電流經由該二極管串流至該地端。

11.根據權利要求10中的靜電放電保護電路，其特征在于，其中該第一靜電放電電流為一正電流，且該第二靜電放電電流為一負電流。