[發(fā)明專利]基于BSIMSOI的FDSOI MOSFET器件建模方法及裝置

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• 申請日: 2020-08-31
• 公開（公告）號: CN112052636A
• 公開（公告）日: 2020-12-08
• 發(fā)明（設計）人: 卜建輝;王可為;李多力;李博;李彬鴻;劉海南;羅家俊;韓鄭生
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: G06F30/3308
• 分類號: G06F30/3308
• 代理公司: 北京華沛德權律師事務所 11302
• 代理人: 房德權

本發(fā)明公開了一種基于BSIMSOI的FDSOI MOSFET器件建模方法及裝置，應用于集成電路設計領域，包括：根據(jù)FDSOI MOSFET器件提取正溝道模型參數(shù)和背溝道模型參數(shù)；基于正溝道模型參數(shù)和BSIMSOI標準模型生成BSIMSOI正溝道器件模型，以及基于背溝道模型參數(shù)和BSIMSOI標準模型生成BSIMSOI背溝道器件模型；將BSIMSOI背溝道器件模型以受控源形式與BSIMSOI正溝道器件模型進行連接，以得到目標FDSOI MOSFET器件模型。通過本發(fā)明大幅度提高了背溝道開啟情況下的器件模型精度。

技術領域

本發(fā)明涉及集成電路設計領域，尤其涉及一種基于BSIMSOI的FDSOI MOSFET器件建模方法及裝置。

背景技術

集成電路設計時必須考慮其高可靠性、高性能、低成本的要求，而在集成電路CAD軟件中，MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)的器件模型是將IC設計和IC產品功能與性能聯(lián)系起來的關鍵紐帶。伴隨著集成器件尺寸越來越小，集成規(guī)模越來越大，集成電路工序越來越復雜，對器件模型的精度要求也越來越高。

目前，業(yè)界能夠用于FDSOI(Fully Depleted-Silicon-On-Insulator，全耗盡絕緣體上硅)，目前建立的MOSFE器件模型在背柵偏置大到足以使背溝道開啟時，模型的精度將會急劇變差。

發(fā)明內容

鑒于現(xiàn)有技術存在上述技術問題，本發(fā)明實施例提供一種基于BSIMSOI的FDSOIMOSFET器件建模方法及裝置。

第一方面，本發(fā)明實施例提供一種基于BSIMSOI的FDSOI MOSFET器件的建模方法，包括：

根據(jù)FDSOI MOSFET器件提取正溝道模型參數(shù)和背溝道模型參數(shù)；

基于所述正溝道模型參數(shù)和BSIMSOI標準模型生成BSIMSOI正溝道器件模型，以及基于所述背溝道模型參數(shù)和BSIMSOI標準模型生成BSIMSOI背溝道器件模型；

將所述BSIMSOI背溝道器件模型以受控源形式與所述BSIMSOI正溝道器件模型進行連接，以得到目標FDSOI MOSFET器件模型。

可選地，所述根據(jù)FDSOI MOSFET器件提取正溝道模型參數(shù)和背溝道模型參數(shù)，包括：

在所述FDSOI MOSFET器件的背溝道處于未開啟狀態(tài)下，提取所述FDSOI MOSFET器件的正溝道模型參數(shù)；

在所述FDSOI MOSFET器件的正溝道處于未開啟狀態(tài)下，提取所述FDSOI MOSFET器件的背溝道模型參數(shù)。

可選地，所述提取所述FDSOI MOSFET器件的背溝道模型參數(shù)，包括：

提取所述FDSOI MOSFET器件的背柵氧厚度作為所述BSIMSOI背溝道器件模型的柵氧厚度，以及

提取所述FDSOI MOSFET器件的柵氧厚度作為所述BSIMSOI背溝道器件模型的背柵氧厚度，以及

提取所述FDSOI MOSFET器件的背溝道電流作為所述BSIMSOI背溝道器件模型的正溝道電流。

可選地，所述將所述BSIMSOI背溝道器件模型以受控源形式與所述BSIMSOI正溝道器件模型進行連接，以得到目標FDSOI MOSFET器件模型，包括：

將正柵壓加到所述BSIMSOI背溝道器件模型的背柵上，將背柵壓加到所述BSIMSOI背溝道器件模型的正柵上，以及將漏電壓加到所述BSIMSOI背溝道器件模型的漏極上；