[發明專利]基于BSIMSOI的FDSOI MOSFET器件建模方法及裝置

在審

• 申請號: 202010892603.2
• 申請日: 2020-08-31
• 公開（公告）號: CN112052636A
• 公開（公告）日: 2020-12-08
• 發明（設計）人: 卜建輝;王可為;李多力;李博;李彬鴻;劉海南;羅家俊;韓鄭生
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: G06F30/3308
• 分類號: G06F30/3308
• 代理公司: 北京華沛德權律師事務所 11302
• 代理人: 房德權

1.一種基于BSIMSOI的FDSOIMOSFET器件建模方法，其特征在于，包括：

根據FDSOIMOSFET器件提取正溝道模型參數和背溝道模型參數；

基于所述正溝道模型參數和BSIMSOI標準模型生成BSIMSOI正溝道器件模型，以及基于所述背溝道模型參數和BSIMSOI標準模型生成BSIMSOI背溝道器件模型；

將所述BSIMSOI背溝道器件模型以受控源形式與所述BSIMSOI正溝道器件模型進行連接，以得到目標FDSOI MOSFET器件模型。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據FDSOIMOSFET器件提取正溝道模型參數和背溝道模型參數，包括：

在所述FDSOI MOSFET器件的背溝道處于未開啟狀態下，提取所述FDSOIMOSFET器件的正溝道模型參數；

在所述FDSOI MOSFET器件的正溝道處于未開啟狀態下，提取所述FDSOIMOSFET器件的背溝道模型參數。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述提取所述FDSOIMOSFET器件的背溝道模型參數，包括：

提取所述FDSOIMOSFET器件的背柵氧厚度作為所述BSIMSOI背溝道器件模型的柵氧厚度，以及

提取所述FDSOIMOSFET器件的柵氧厚度作為所述BSIMSOI背溝道器件模型的背柵氧厚度，以及

提取所述FDSOIMOSFET器件的背溝道電流作為所述BSIMSOI背溝道器件模型的正溝道電流。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述將所述BSIMSOI背溝道器件模型以受控源形式與所述BSIMSOI正溝道器件模型進行連接，以得到目標FDSOI MOSFET器件模型，包括：

將正柵壓加到所述BSIMSOI背溝道器件模型的背柵上，將背柵壓加到所述BSIMSOI背溝道器件模型的正柵上，以及將漏電壓加到所述BSIMSOI背溝道器件模型的漏極上；

在所述BSIMSOI正溝道器件模型上并聯受控源，其中，所述受控源為電壓控制電流源或者電流控制電流源；

將所述BSIMSOI背溝道器件模型的背溝道電流引入至所述受控源，得到所述目標FDSOIMOSFET器件模型的總電流為所述BSIMSOI背溝道器件模型的電流與所述BSIMSOI正溝道器件模型的電流之和。

5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，所述將所述BSIMSOI背溝道器件模型的背溝道電流引入至所述受控源，包括：

在所述BSIMSOI背溝道器件模型的漏極設置第一電阻；

將所述第一電阻上的電流或者電壓引入至所述受控源。

6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一電阻的阻值小于預設電阻閾值。

7.一種基于BSIMSOI的FDSOIMOSFET器件建模裝置，其特征在于，包括：

模型參數提取單元，用于根據FDSOI MOSFET器件提取正溝道模型參數和背溝道模型參數；

模型生成單元，用于基于所述正溝道模型參數和BSIMSOI標準模型生成BSIMSOI正溝道器件模型，以及基于所述背溝道模型參數和BSIMSOI標準模型生成BSIMSOI背溝道器件模型；

模型合并單元，用于將所述BSIMSOI背溝道器件模型以受控源形式與所述BSIMSOI正溝道器件模型進行連接，以得到目標FDSOIMOSFET器件模型。

8.一種基于BSIMSOI的FDSOIMOSFET器件模型，其特征在于，包括：

基于正溝道模型參數和BSIMSOI標準模型生成的BSIMSOI正溝道器件模型，以及基于背溝道模型參數和BSIMSOI標準模型生成的BSIMSOI背溝道器件模型，其中，所述BSIMSOI背溝道器件模型以受控源形式與所述BSIMSOI正溝道器件模型連接，所述正溝道模型參數和所述背溝道模型參數根據FDSOI MOSFET器件提取得到。