[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010892564.6
• 申請日: 2020-08-31
• 公開（公告）號: CN113410288A
• 公開（公告）日: 2021-09-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 田中明廣
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社
• 主分類號: H01L29/417
• 分類號: H01L29/417;H01L23/50;H01L27/088
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 徐殿軍

實施方式的半導(dǎo)體裝置具備：半導(dǎo)體部，具有第1面、第2面、設(shè)置在上述第1面與上述第2面之間的第1區(qū)域、和設(shè)置在上述第1面與上述第2面之間的第2區(qū)域；共用電極，設(shè)置在上述第2面；第1電極，設(shè)置在上述第1區(qū)域的上述第1面上；第2電極，設(shè)置在上述第2區(qū)域的上述第1面上，與上述第1電極分離；第1控制電極，設(shè)置在上述第1區(qū)域中，控制上述第1區(qū)域中的沿將上述第1電極與上述共用電極連結(jié)的方向流動的電流；以及第2控制電極，設(shè)置在上述第2區(qū)域中，控制上述第2區(qū)域中的沿將上述第2電極與上述共用電極連結(jié)的方向流動的電流。在上述共用電極設(shè)置有第1槽。

本申請基于日本專利申請第2020－45514號(申請日：2020年3月16日)主張優(yōu)先權(quán)，這里通過引用而包含其全部內(nèi)容。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)

已知在1個共同的半導(dǎo)體基板上形成具有電氣地相互獨立的源極電極的兩個晶體管，將兩個晶體管的漏極彼此用共用電極(背面電極)連接的半導(dǎo)體裝置。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供一種能夠?qū)崿F(xiàn)翹曲的抑制的半導(dǎo)體裝置。

根據(jù)技術(shù)方案，半導(dǎo)體裝置具備：半導(dǎo)體部，具有第1面、第2面、設(shè)置在上述第1面與上述第2面之間的第1區(qū)域、和設(shè)置在上述第1面與上述第2面之間的第2區(qū)域；共用電極，設(shè)置在上述第2面；第1電極，設(shè)置在上述第1區(qū)域的上述第1面上；第2電極，設(shè)置在上述第2區(qū)域的上述第1面上，與上述第1電極分離；第1控制電極，設(shè)置在上述第1區(qū)域中，控制上述第1區(qū)域中的沿將上述第1電極與上述共用電極連結(jié)的方向流動的電流；以及第2控制電極，設(shè)置在上述第2區(qū)域中，控制上述第2區(qū)域中的沿將上述第2電極與上述共用電極連結(jié)的方向流動的電流。在上述共用電極設(shè)置有第1槽。

附圖說明

圖1是實施方式的半導(dǎo)體裝置的示意俯視圖。

圖2是圖1的A－A’線剖面圖。

圖3(a)及(b)是其他實施方式的半導(dǎo)體裝置的示意剖面圖。

圖4是另一其他實施方式的半導(dǎo)體裝置的示意斜視圖。

圖5是安裝在配線基板上的實施方式的半導(dǎo)體裝置的示意剖面圖。

具體實施方式

以下，參照附圖對實施方式進行說明。另外，在各圖中，對于相同的要素賦予相同的標號。

圖1是實施方式的半導(dǎo)體裝置1的示意俯視圖。

圖2是圖1的A－A’線剖面圖。

半導(dǎo)體裝置1具備半導(dǎo)體部50、共用電極30、第1電極10、第2電極20、第1控制電極71和第2控制電極72。

半導(dǎo)體部50具有半導(dǎo)體基板53、設(shè)置在半導(dǎo)體基板53上的第1半導(dǎo)體層54、設(shè)置在第1半導(dǎo)體層54內(nèi)的第2半導(dǎo)體層13及第3半導(dǎo)體層14、設(shè)置在第2半導(dǎo)體層13內(nèi)的第4半導(dǎo)體層15和設(shè)置在第3半導(dǎo)體層14內(nèi)的第5半導(dǎo)體層16。

半導(dǎo)體基板53例如是n型的硅基板。第1半導(dǎo)體層54例如是n型的硅層。第1半導(dǎo)體層54的n型雜質(zhì)濃度比半導(dǎo)體基板53的n型雜質(zhì)濃度低。第1半導(dǎo)體層54例如在半導(dǎo)體基板53上外延成長。

第2半導(dǎo)體層13及第3半導(dǎo)體層14例如是p型的硅層。第1半導(dǎo)體層54與第2半導(dǎo)體層13的底面、側(cè)面、第3半導(dǎo)體層14的底面及側(cè)面接觸。

第4半導(dǎo)體層15及第5半導(dǎo)體層16例如是n型的硅層。第4半導(dǎo)體層15及第5半導(dǎo)體層16的n型雜質(zhì)濃度比第1半導(dǎo)體層54的n型雜質(zhì)濃度高。第2半導(dǎo)體層13與第4半導(dǎo)體層15的底面及側(cè)面接觸。第3半導(dǎo)體層14與第5半導(dǎo)體層16的底面及側(cè)面接觸。