[發明專利]半導體裝置在審
| 申請號： | 202010892564.6 | 申請日： | 2020-08-31 |
| 公開（公告）號： | CN113410288A | 公開（公告）日： | 2021-09-17 |
| 發明（設計）人： | 田中明廣 | 申請（專利權）人： | 株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社 |
| 主分類號： | H01L29/417 | 分類號： | H01L29/417;H01L23/50;H01L27/088 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿軍 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 | ||
1.一種半導體裝置，其具備：
半導體部，具有第1面、第2面、設置在上述第1面與上述第2面之間的第1區域、和設置在上述第1面與上述第2面之間的第2區域；
共用電極，設置在上述第2面；
第1電極，設置在上述第1區域的上述第1面上；
第2電極，設置在上述第2區域的上述第1面上，與上述第1電極分離；
第1控制電極，設置在上述第1區域中，控制上述第1區域中的沿將上述第1電極與上述共用電極連結的方向流動的電流；以及
第2控制電極，設置在上述第2區域中，控制上述第2區域中的沿將上述第2電極與上述共用電極連結的方向流動的電流；
在上述共用電極設置有第1槽。
2.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，
在上述第1電極及上述第2電極的至少某一個設置有第2槽。
3.如權利要求2所述的半導體裝置，其中，
上述第1電極具有與上述第1面接觸的第1金屬部和設置在上述第1金屬部上的第2金屬部；
上述第1金屬部的面積比上述第2金屬部的面積大；
上述第2槽至少設置在上述第1金屬部。
4.如權利要求3所述的半導體裝置，其中，
上述第1金屬部含有鋁。
5.如權利要求2所述的半導體裝置，其中，
上述第2電極具有與上述第1面接觸的第3金屬部和設置在上述第3金屬部上的第4金屬部；
上述第3金屬部的面積比上述第4金屬部的面積大；
上述第2槽至少設置在上述第3金屬部。
6.如權利要求5所述的半導體裝置，其中，
上述第3金屬部含有鋁。
7.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，
上述半導體裝置的端部的上述第1槽的密度比上述半導體裝置的中央部的上述第1槽的密度高。
8.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，
上述共用電極的厚度比上述第1電極的厚度及上述第2電極的厚度厚。
9.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，
上述第1控制電極在上述第1區域內沿上述半導體部的厚度方向延伸；
上述第2控制電極在上述第2區域內沿上述半導體部的厚度方向延伸。
10.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，
上述共用電極包含銀膜。
11.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，
上述第1槽不將上述共用電極貫通。
12.一種半導體裝置，其具備：
半導體部，具有第1面、第2面、設置在上述第1面與上述第2面之間的第1區域、和設置在上述第1面與上述第2面之間的第2區域；
共用電極，設置在上述第2面；
第1電極，設置在上述第1區域的上述第1面上；
第2電極，設置在上述第2區域的上述第1面上，與上述第1電極分離；
第1控制電極，設置在上述第1區域中，控制上述第1區域中的沿將上述第1電極與上述共用電極連結的方向流動的電流；以及
第2控制電極，設置在上述第2區域中，控制上述第2區域中的沿將上述第2電極與上述共用電極連結的方向流動的電流，
在上述第1電極及上述第2電極的至少某一個設置有槽。
13.如權利要求12所述的半導體裝置，其中，
上述第1電極具有與上述第1面接觸的第1金屬部和設置在上述第1金屬部上的第2金屬部；
上述第1金屬部的面積比上述第2金屬部的面積大；
上述槽至少設置在上述第1金屬部。
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