[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010886718.0
• 申請日: 2020-08-28
• 公開（公告）號(hào): CN114121658A
• 公開（公告）日: 2022-03-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙瓊洋
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336;H01L21/28;H01L29/423
• 代理公司: 上海知錦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31327
• 代理人: 吳凡

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成功函數(shù)層，形成所述功函數(shù)層的步驟包括一個(gè)或多個(gè)沉積退火處理，所述沉積退火處理包括：

在所述基底上形成單層膜；

對所述單層膜進(jìn)行退火處理。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，對所述單層膜進(jìn)行退火處理的步驟中，通入提純氣體。

3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，對所述單層膜進(jìn)行退火處理的步驟中，通入NH₃。

4.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，采用原子層沉積工藝在所述基底上形成所述單層膜。

5.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在所述基底上形成單層膜的步驟中，所述單層膜的厚度為至

6.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述單層膜的材料包括TiAl、TiN、TaN、TiC、TiSiN或TaC。

7.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，采用尖峰退火工藝或激光退火工藝對所述單層膜進(jìn)行退火處理。

8.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，對所述單層膜進(jìn)行退火處理的步驟中，工藝溫度為450攝氏度至550攝氏度。

9.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，對所述單層膜進(jìn)行退火處理的步驟中，腔室壓強(qiáng)小于10Torr。

10.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，對所述單層膜進(jìn)行退火處理的步驟中，工藝時(shí)間為5秒至90秒。

11.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在真空環(huán)境中進(jìn)行所述沉積退火處理。

12.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，對所述單層膜進(jìn)行退火處理的步驟中，所述單層膜中的Cl元素的原子百分比低于0.5％。

13.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法還包括：形成所述功函數(shù)層后，在所述功函數(shù)層上形成阻擋層。

14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述阻擋層的材料包括：TaN、Ta、Ti、TiN、ZrN和ZrTiN中的一種或多種。

15.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，提供基底的步驟包括：

提供襯底和位于所述襯底上的鰭部；

形成橫跨所述鰭部的偽柵結(jié)構(gòu)，所述偽柵結(jié)構(gòu)覆蓋所述鰭部的部分頂壁和部分側(cè)壁；

在所述偽柵結(jié)構(gòu)兩側(cè)的所述鰭部中形成源漏摻雜層；

形成覆蓋所述源漏摻雜層和所述偽柵結(jié)構(gòu)側(cè)壁的層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層露出所述偽柵結(jié)構(gòu)的頂部；

形成所述層間介質(zhì)層后，去除所述偽柵結(jié)構(gòu)，形成柵極開口；

在所述基底上形成功函數(shù)層的步驟中，所述功函數(shù)層形成在所述柵極開口的側(cè)壁和底面。