[發(fā)明專利]基片支承器和等離子體處理裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010884511.X
• 申請日: 2020-08-28
• 公開（公告）號: CN112466735A
• 公開（公告）日: 2021-03-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 輿水地鹽
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/683
• 代理公司: 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;劉芃茜

本發(fā)明提供基片支承器和等離子體處理裝置。本發(fā)明的基片支承器包括電介質(zhì)部和至少一個電極。至少一個電極設(shè)置于電介質(zhì)部之中，用于對載置于電介質(zhì)部上的物體供給偏置電功率。本發(fā)明能夠?qū)Υ钶d于基片支承器上的物體高效地供給偏置電功率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的例示的實施方式涉及基片支承器和等離子體處理裝置。

背景技術(shù)

等離子體處理裝置被用于基片的處理中。等離子體處理裝置具有腔室和基片支承器。基片支承器具有基座和靜電吸盤，并設(shè)置于腔室內(nèi)。靜電吸盤設(shè)置于基座上。靜電吸盤保持載置在其上的基片。從高頻電源對基座供給偏置電功率，以將離子從在腔室內(nèi)生成的等離子體吸引到基片。

在基片支承器上搭載邊緣環(huán)。基片配置在靜電吸盤上且由邊緣環(huán)包圍的區(qū)域內(nèi)。基片支承器有時構(gòu)成為利用靜電引力保持邊緣環(huán)。構(gòu)成為利用靜電引力保持邊緣環(huán)的基片支承器記載于下述的專利文獻(xiàn)1～3中。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2002-33376號公報

專利文獻(xiàn)2：日本特表2004-511901號公報

專利文獻(xiàn)3：日本特開2016-122740號公報

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的技術(shù)問題

本發(fā)明提供一種能夠?qū)Υ钶d于基片支承器的物體高效地供給偏置電功率的技術(shù)。

用于解決技術(shù)問題的技術(shù)方案

在一個例示的實施方式中，提供一種基片支承器。基片支承器包括電介質(zhì)部和至少一個電極。至少一個電極設(shè)置于電介質(zhì)部之中，用于對載置于電介質(zhì)部上的物體供給偏置電功率。

發(fā)明效果

依照一個例示的實施方式，能夠?qū)Υ钶d于基片支承器的物體高效地供給偏置電功率。

附圖說明

圖1是概要地表示一個例示的實施方式的等離子體處理裝置的圖。

圖2是詳細(xì)地表示一個例示的實施方式的等離子體處理裝置的腔室內(nèi)結(jié)構(gòu)的圖。

圖3是概要地表示另一例示的實施方式的等離子體處理裝置的圖。

圖4是概要地表示又一例示的實施方式的等離子體處理裝置的圖。

圖5是概要地表示又一例示的實施方式的等離子體處理裝置的圖。

圖6是概要地表示又一例示的實施方式的等離子體處理裝置的圖。

圖7是概要地表示又一例示的實施方式的等離子體處理裝置的圖。

圖8是概要地表示又一例示的實施方式的等離子體處理裝置的圖。

圖9是概要地表示又一例示的實施方式的等離子體處理裝置的圖。

圖10是概要地表示又一例示的實施方式的等離子體處理裝置的圖。

圖11是概要地表示又一例示的實施方式的等離子體處理裝置的圖。

圖12的(a)是表示第一靜電吸盤區(qū)域的另一例的局部放大圖，圖12的(b)和圖12的(c)分別是表示第二靜電吸盤區(qū)域的另一例的局部放大圖。

附圖標(biāo)記說明

16……基片支承器

21……第一靜電吸盤區(qū)域

22……第二靜電吸盤區(qū)域

22a、22b、22c……電極

W……基片