1.一種基片支承器，其特征在于，包括：
電介質部；和
設置于所述電介質部之中的至少一個電極，其用于對載置于所述電介質部上的物體供給偏置電功率。
2.如權利要求1所述的基片支承器，其特征在于，包括：
第一靜電吸盤區域，其構成為能夠保持載置于其上的基片；和
第二靜電吸盤區域，其構成為以包圍所述第一靜電吸盤區域的方式設置，并能夠保持載置于其上的邊緣環，
所述第二靜電吸盤區域具有設置于其中的一個以上的電極，該一個以上的電極用于在該第二靜電吸盤區域與所述邊緣環之間產生靜電引力，并且通過該第二靜電吸盤區域對所述邊緣環供給所述偏置電功率，
所述一個以上的電極包含所述至少一個電極。
3.如權利要求2所述的基片支承器，其特征在于：
所述至少一個電極是用于對其施加電壓以產生所述靜電引力，并且用于對其供給所述偏置電功率的共用電極。
4.如權利要求2所述的基片支承器，其特征在于：
所述一個以上的電極包括：
用于對其施加電壓以產生所述靜電引力的第一電極；和
用于對其供給所述偏置電功率的第二電極，
所述第二電極是所述至少一個電極。
5.如權利要求2～4中任一項所述的基片支承器，其特征在于：
所述第二靜電吸盤區域是雙極型的靜電吸盤。
6.如權利要求2～4中任一項所述的基片支承器，其特征在于：
所述第二靜電吸盤區域是單極型的靜電吸盤。
7.如權利要求2～6中任一項所述的基片支承器，其特征在于：
所述第二靜電吸盤區域還具有所述電介質部的至少一部分，
所述一個以上的電極設置于所述電介質部的所述至少一部分之中。
8.如權利要求7所述的基片支承器，其特征在于：
所述第一靜電吸盤區域和所述第二靜電吸盤區域共有所述電介質部，
所述第一靜電吸盤區域具有設置于所述電介質部之中的吸盤電極，該吸盤電極能夠被施加用于將所述基片吸附到該第一靜電吸盤區域的電壓。
9.如權利要求7所述的基片支承器，其特征在于：
所述第一靜電吸盤區域包括：
第一電介質部；和
設置于所述第一電介質部之中的吸盤電極，其能夠被施加用于將所述基片吸附到該第一靜電吸盤區域的電壓，
第二電介質部與所述第一電介質部被分離開，該第二電介質部是所述第二靜電吸盤區域具有的所述電介質部。
10.如權利要求7～9中任一項所述的基片支承器，其特征在于：
還包括加熱器，其設置于所述第二靜電吸盤區域具有的所述電介質部之中。
11.如權利要求2～10中任一項所述的基片支承器，其特征在于：
還包括氣體通路，其用于將傳熱氣體供給到所述第二靜電吸盤區域與所述邊緣環之間。
12.如權利要求2～11中任一項所述的基片支承器，其特征在于：
所述第一靜電吸盤區域具有設置于該第一靜電吸盤區域之中的其他電極，該其他電極能夠被供給偏置電功率。
13.如權利要求2～11中任一項所述的基片支承器，其特征在于：
還包括具有導電性的、用于對其供給偏置電功率的基座，
所述第一靜電吸盤區域和所述第二靜電吸盤區域設置于所述基座上。
14.一種等離子體處理裝置，其特征在于，包括：
腔室；和
權利要求1～13中任一項所述的基片支承器，該基片支承器設置于所述腔室內。
