[發明專利]金屬層光刻工藝熱點的修復方法

在審

• 申請號: 202010884271.3
• 申請日: 2020-08-28
• 公開（公告）號: CN111929982A
• 公開（公告）日: 2020-11-13
• 發明（設計）人: 何大權;陳翰;趙寶燕
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G03F1/72
• 分類號: G03F1/72;G03F7/20
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

本發明提供了一種金屬層光刻工藝熱點的修復方法，包括以下步驟：S1：提供用于形成金屬層的掩膜版圖形，掩膜版圖形中具有若干工藝熱點區域，所述工藝熱點區域包括對應金屬線的第一區域及對應接觸孔的第二區域；執行步驟S2，S2：獲取所述第一區域的邊緣線中與第二區域之間的距離小于第一設定值的部分作為擴展線段；執行步驟S3，S3：將所述擴展線段向外移動第二設定值以擴大所述第一區域，并更新所述掩膜版圖形；S4：對更新后的掩膜版圖形進行仿真；S5：當仿真失敗時，則返回步驟S3，當仿真通過或仿真的次數達到第三設定值時，輸出最新的所述掩膜版圖形。本發明的金屬層光刻工藝熱點的修復方法可以提升金屬層光刻工藝熱點的修復效率。

技術領域

本發明涉及半導體制造技術領域，尤其涉及一種金屬層光刻工藝熱點的修復方法。

背景技術

光刻工藝是集成電路制造的主要工藝，光刻工藝是最復雜的技術之一，也是推動集成電路工藝發展的重要推動力。光刻工藝的優劣決定著集成電路的性能。光刻工藝是將掩模版圖形向硅片表面各層材料上的轉移，以使硅片表面各層材料上得到與掩模板圖形相關的光刻圖形。

隨著技術節點的不斷減小，在硅片表面金屬層的光刻工藝中，由于光學成像本身的分辨率限制及金屬層掩膜版圖形的設計缺陷會導致金屬層掩模版圖形在硅片上的曝光圖形中出現孔接觸不良的缺陷(即光刻工藝熱點)，這些出現缺陷的區域叫做光刻工藝熱點區域，簡稱光刻工藝熱點。光刻工藝熱點可能會影響到金屬層電路的性能，甚至導致集成電路流片失敗。因此，應該在金屬層掩膜版出版之前，找出光刻工藝熱點并對金屬層掩膜版圖形進行光學鄰近修復。

發明內容

本發明的目的在于提供一種金屬層光刻工藝熱點的修復方法，能夠減少修復金屬層掩膜版圖形時出現新的光刻工藝熱點的概率，提升了金屬層光刻工藝熱點的修復效率。

為了達到上述目的，本發明提供了一種金屬層光刻工藝熱點的修復方法，包括以下步驟：

S1：提供用于形成金屬層的掩膜版圖形，所述掩膜版圖形中具有若干工藝熱點區域，所述工藝熱點區域包括對應金屬線的第一區域及對應接觸孔的第二區域；執行步驟S2，

S2：獲取所述第一區域的邊緣線中與所述第二區域之間的距離小于第一設定值的部分作為擴展線段；執行步驟S3，

S3：將所述擴展線段向外移動第二設定值以擴大所述第一區域，并更新所述掩膜版圖形；

S4：對更新后的所述掩膜版圖形進行熱點仿真；

S5：當熱點仿真失敗時，則返回步驟S3，當仿真通過或仿真的次數達到第三設定值時，輸出最新的所述掩膜版圖形。

可選的，在步驟S2中，獲取所述擴展線段的步驟包括：

構建與所述第二區域同心的第一標記區域，所述第二區域的邊緣線與所述第一標記區域的邊緣線之間的距離為第一設定值；

獲取位于所述第一標記區域中且與所述第一標記區域的任意邊緣線平行的所述第一區域的邊緣線的部分作為所述擴展線段；以及，

在對所述掩膜版圖形進行熱點仿真時忽略所述第一標記區域。

可選的，在步驟S2中，獲取所述擴展線段的步驟包括：

獲取所述第一區域與所述第二區域中距離小于或等于所述第一設定值的相鄰的邊緣線對，在所述相鄰的邊緣線對中，所述第二區域的邊緣線位于所述第一區域內；

在所述相鄰的邊緣線之間構建與所述第二區域連通的第二標記區域，其中，所述第二標記區域在垂直于所述相鄰的邊緣線之間的寬度小于或等于所述第一設定值；所述第一區域的邊緣線位于所述第二標記區域中的部分或與所述第二標記區域的重疊的部分作為所述擴展線段；以及，

在對所述掩膜版圖形進行熱點仿真時忽略所述第二標記區域。