[發明專利]金屬層光刻工藝熱點的修復方法

在審

• 申請號: 202010884271.3
• 申請日: 2020-08-28
• 公開（公告）號: CN111929982A
• 公開（公告）日: 2020-11-13
• 發明（設計）人: 何大權;陳翰;趙寶燕
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G03F1/72
• 分類號: G03F1/72;G03F7/20
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種金屬層光刻工藝熱點的修復方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1：提供用于形成金屬層的掩膜版圖形，所述掩膜版圖形中具有若干工藝熱點區域，所述工藝熱點區域包括對應金屬線的第一區域及對應接觸孔的第二區域；執行步驟S2，

S2：獲取所述第一區域的邊緣線中與所述第二區域之間的距離小于第一設定值的部分作為擴展線段；執行步驟S3，

S3：將所述擴展線段向外移動第二設定值以擴大所述第一區域，并更新所述掩膜版圖形；

S4：對更新后的所述掩膜版圖形進行熱點仿真；

S5：當熱點仿真失敗時，則返回步驟S3，當仿真通過或仿真的次數達到第三設定值時，輸出最新的所述掩膜版圖形。

2.如權利要求1所述的金屬層光刻工藝熱點的修復方法，其特征在于，在步驟S2中，獲取所述擴展線段的步驟包括：

構建與所述第二區域同心的第一標記區域，所述第二區域的邊緣線與所述第一標記區域的邊緣線之間的距離為第一設定值；

獲取位于所述第一標記區域中且與所述第一標記區域的任意邊緣線平行的所述第一區域的邊緣線的部分作為所述擴展線段；以及，

在對所述掩膜版圖形進行熱點仿真時忽略所述第一標記區域。

3.如權利要求1所述的金屬層光刻工藝熱點的修復方法，其特征在于，在步驟S2中，獲取所述擴展線段的步驟包括：

獲取所述第一區域與所述第二區域中距離小于或等于所述第一設定值的相鄰的邊緣線對，在所述相鄰的邊緣線對中，所述第二區域的邊緣線位于所述第一區域內；

在所述相鄰的邊緣線之間構建與所述第二區域連通的第二標記區域，其中，所述第二標記區域在垂直于所述相鄰的邊緣線之間的寬度為所述第一設定值；所述第一區域的邊緣線位于所述第二標記區域中的部分或與所述第二標記區域的重疊的部分作為所述擴展線段；以及，

在對所述掩膜版圖形進行熱點仿真時忽略所述第二標記區域。

4.如權利要求3所述的金屬層光刻工藝熱點的修復方法，其特征在于，所述第二標記區域在平行于所述相鄰的邊緣線之間的寬度等于所述第二區域的邊緣線長度。

5.如權利要求3所述的金屬層光刻工藝熱點的修復方法，其特征在于，第二標記區域的形狀為矩形。

6.如權利要3所述的金屬層光刻工藝熱點的修復方法，其特征在于，所述第二設定值通過格點來計量，所述第二設定值為4個格點。

7.如權利要6所述的金屬層光刻工藝熱點的修復方法，其特征在于，獲取所述邊緣線段之前，所述第二區域的所有邊緣線往外移動若干個格點。

8.如權利要求1所述的金屬層光刻工藝熱點的修復方法，其特征在于，所述熱點仿真的步驟包括：

通過模擬出所述掩膜版圖形曝光后產生的虛擬圖形，在所述虛擬圖形中判斷所述金屬線對所述接觸孔的覆蓋率是否大于或等于第四設定值；

當所述金屬線對所述接觸孔的覆蓋率大于或等于所述第四設定值，則判定所述熱點仿真通過；

當所述金屬線對所述接觸孔的覆蓋率小于所述第四設定值，則判定所述熱點仿真失敗。

9.如權利要求1所述的金屬層光刻工藝熱點的修復方法，其特征在于，所述第二區域的外形呈為正八邊形。

10.如權利要求1所述的金屬層光刻工藝熱點的修復方法，其特征在于，所述第一設定值為所述接觸孔的孔徑。