[發(fā)明專利]一種陣列基板及顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010882236.8 | 申請日: | 2020-08-28 |
| 公開(公告)號: | CN112038355B | 公開(公告)日: | 2022-05-31 |
| 發(fā)明(設計)人: | 陳建鋒;張淑媛 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L23/00;G09F9/33;G09F9/35 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 呂姝娟 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 顯示裝置 | ||
本發(fā)明公開了一種陣列基板及顯示裝置,所述陣列基板的功能層在非彎折區(qū)設有多個驅動薄膜晶體管,所述功能層在彎折區(qū)設有多個第一開孔,覆蓋在所述功能層上的填充層填充所述第一開孔并在所述第一開孔的位置設第二開孔,所述陣列基板的金屬層包括多條金屬走線,所述金屬走線在與所述第二開孔重疊的區(qū)域向所述第二開孔內部彎折。本發(fā)明能夠有效提高陣列基板動態(tài)彎折時的結構穩(wěn)定性,避免應力對膜層結構的破壞以及造成驅動薄膜晶體管的閾值電壓漂移影響正常工作,減小彎折區(qū)金屬走線受到的應力。
技術領域
本發(fā)明涉及顯示技術領域,尤其涉及顯示裝置,具體涉及一種顯示裝置的陣列基板。
背景技術
在顯示技術領域,液晶顯示器件(Liquid Crystal Display,LCD)與有機發(fā)光二極管顯示器件(Organic Light Emitting Diode,OLED)等平板顯示器件已經逐步取代CRT顯示器。
LCD顯示器件是由一片薄膜晶體管陣列基板(Thin Film Transistor ArraySubstrate,TFT Array Substrate)與一片彩色濾光片(Color Filter,CF)基板貼合而成,且在TFT基板與CF基板之間灌入液晶,通過通電與否來控制液晶分子改變方向,將背光模組的光線折射出來產生畫面。
OLED具有自發(fā)光、驅動電壓低、發(fā)光效率高、響應時間短、清晰度與對比度高、近180°視角、使用溫度范圍寬,可實現(xiàn)柔性顯示與大面積全色顯示等諸多優(yōu)點,被業(yè)界公認為是最有發(fā)展?jié)摿Φ娘@示器件。OLED顯示器件通常包括:基板、設于基板上的陽極、設于陽極上的空穴注入層、設于空穴注入層上的空穴傳輸層、設于空穴傳輸層上的發(fā)光層、設于發(fā)光層上的電子傳輸層、設于電子傳輸層上的電子注入層、及設于電子注入層上的陰極,發(fā)光原理為半導體材料和有機發(fā)光材料在電場驅動下,通過載流子注入和復合導致發(fā)光。以當前的市場趨勢,面板進入柔性時代,相關柔性面板開發(fā),柔性可折疊成為小尺寸手機的主流方向,未來柔性OLED顯示裝置會是市場主流,其中動態(tài)折疊(Dynamic Foldable)產品將會成為中小顯示行業(yè)的重中之重。彎折或折疊時,顯示面板中的金屬走線極易發(fā)生斷裂,導致顯示區(qū)的畫面異常;而顯示面板膜層之間附著力有限,彎折后容易發(fā)生膜層之間相互脫離,嚴重影響良率,甚至還會引起薄膜晶體管的閾值電壓(VTH)漂移導致發(fā)光不均,因此需要顯示面板有更穩(wěn)定的結構來應對耐彎折的要求,需要柔性面板或材料的動態(tài)拉伸和彎折耐久性得到保證。
因此,現(xiàn)有技術存在缺陷,亟需解決。
發(fā)明內容
本發(fā)明目的在于提供一種具有穩(wěn)定結構的陣列基板及具有該陣列基板的顯示裝置,能夠滿足動態(tài)拉伸和彎折的要求,避免出現(xiàn)裂紋及影響薄膜晶體管的正常工作。
為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供一種陣列基板,包括彎折區(qū)和非彎折區(qū),所述陣列基板包括依次層疊設置的基底層、緩沖層、功能層、填充層和金屬層;
所述功能層包括位于所述非彎折區(qū)的第一部分和位于所述彎折區(qū)的第二部分,所述第一部分設有多個驅動薄膜晶體管,所述第二部分設有多個第一開孔;
所述填充層覆蓋所述功能層上表面并填充所述第一開孔;所述填充層在所述第一開孔處設有第二開孔;
所述金屬層包括源漏極圖案和與所述源漏極圖案連接的多條金屬走線,所述金屬走線在與所述第二開孔重疊的區(qū)域向所述第二開孔內部彎折。
特別地,所述第一開孔延伸至所述基底層內。
特別地,所述第一開孔包括上部開孔和下部開孔,所述下部開孔位于所述上部開孔的下方,且所述下部開孔的水平截面面積小于所述上部開孔的水平截面面積。
特別地,所述上部開孔、所述下部開孔和所述第二開孔均為沿開孔深度方向上寬下窄的梯形截面。
特別地,所述金屬走線至少部分貼合所述第二開孔的所述下部開孔的底面。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





