[發明專利]一種陣列基板及顯示裝置有效
| 申請號: | 202010882236.8 | 申請日: | 2020-08-28 |
| 公開(公告)號: | CN112038355B | 公開(公告)日: | 2022-05-31 |
| 發明(設計)人: | 陳建鋒;張淑媛 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L23/00;G09F9/33;G09F9/35 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 呂姝娟 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板,其特征在于,包括彎折區和非彎折區,所述陣列基板包括依次層疊設置的基底層、緩沖層、功能層、填充層和金屬層;
所述功能層包括位于所述非彎折區的第一部分和位于所述彎折區的第二部分,所述第一部分設有多個驅動薄膜晶體管,所述第二部分設有第一開孔;
所述填充層覆蓋所述功能層上表面并填充所述第一開孔,所述填充層在所述第一開孔處設有第二開孔;所述第一開口延伸至所述基底層內,所述第一開孔包括上部開孔和下部開孔,所述下部開孔位于所述上部開孔的下方;
所述金屬層包括源漏極圖案和與所述源漏極圖案連接的多條金屬走線,所述金屬走線在與所述第二開孔重疊的區域向所述第二開孔內部彎折;所述金屬走線至少部分貼合所述第一開孔的所述下部開孔的底面;
每個所述驅動薄膜晶體管的四周分別各設一個第三開孔,多個所述第三開孔對稱布置在所述驅動薄膜晶體管的四周,兩兩相對設置,每個所述第三開孔的水平截面為大小相同的長方形,所述第三開孔的長邊正對所述驅動薄膜晶體管,所述第三開孔沿開孔深度方向貫穿所述功能層和所述緩沖層;所述填充層填充所述第三開孔。
2.如權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述下部開孔的水平截面面積小于所述上部開孔的水平截面面積。
3.如權利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述上部開孔、所述下部開孔和所述第二開孔均為沿開孔深度方向上寬下窄的梯形截面。
4.如權利要求1-3任一項所述的陣列基板,其特征在于,多個所述第二開孔與所述金屬走線重疊,并沿所述金屬走線延伸方向等距離設置。
5.如權利要求4所述的陣列基板,其特征在于,所述第二開孔沿所述金屬走線延伸方向的最大開口長度大于沿所述金屬走線延伸方向相鄰兩個所述第二開孔之間的距離,所述第二開孔垂直于所述金屬走線延伸方向的開口寬度大于所述金屬走線的寬度。
6.一種顯示裝置,所述顯示裝置包括如權利要求1-5中任一項所述的陣列基板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





