[發(fā)明專利]一種MEMS結(jié)構(gòu)

在審

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• 申請日: 2020-08-28
• 公開（公告）號: CN111866684A
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉端;李冠華;夏永祿
• 申請（專利權(quán)）人: 安徽奧飛聲學(xué)科技有限公司
• 主分類號: H04R19/01
• 分類號: H04R19/01;H04R19/04
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種MEMS結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

襯底，具有空腔；

振動支撐層，形成在所述襯底上方并且覆蓋所述空腔；

第一電極層，形成于所述振動支撐層上方；

壓電層，形成于所述第一電極層上方；

第二電極層，形成在所述壓電層上方，所述第一電極層和所述第二電極層中的一個具有周向的第一分割槽和徑向的第二分割槽，以將所述第一電極層和所述第二電極層中的所述一個分割成分隔開的中間區(qū)域和外圍區(qū)域，所述第一電極層和所述第二電極層中的另一個具有相連的中間區(qū)域和外圍區(qū)域。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一電極層和所述第二電極層在徑向上均具有所述第二分割槽，并且所述第二分割槽將所述第一電極層和所述第二電極層的所述中間區(qū)域和所述外圍區(qū)域均分割成分隔開的相對應(yīng)的至少兩個等分區(qū)，在每個等分區(qū)內(nèi)，所述第一電極層和所述第二電極層中的一個的所述中間區(qū)域和所述外圍區(qū)域相連，所述第一電極層和所述第二電極層中的另一個的所述中間區(qū)域和所述外圍區(qū)域分隔開。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的MEMS結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一電極層和所述第二電極層中的所述另一個的第一等分區(qū)的所述外圍區(qū)域經(jīng)第一導(dǎo)線向外延伸并且所述第一導(dǎo)線作為所述MEMS結(jié)構(gòu)的一個端子；

所述第一電極層和所述第二電極層中的所述另一個的所述第一等分區(qū)的所述中間區(qū)域通過第二導(dǎo)線連接所述第一電極層和所述第二電極層中的所述另一個的第二等分區(qū)的所述外圍區(qū)域以實現(xiàn)串聯(lián)，所述第一等分區(qū)與所述第二等分區(qū)相鄰，并且通過多個所述第二導(dǎo)線依次重復(fù)連接相鄰兩個等分區(qū)；

所述第一電極層和所述第二電極層中的所述另一個的最后等分區(qū)的所述中間區(qū)域經(jīng)第三導(dǎo)線向外延伸并且所述第三導(dǎo)線作為所述MEMS結(jié)構(gòu)的另一個端子。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的MEMS結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第三導(dǎo)線在所述第二分割槽內(nèi)向外延伸。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一分割槽的正下方的所述振動支撐層具有平坦上表面，所述MEMS結(jié)構(gòu)還包括通孔，所述通孔在所述第一分割槽內(nèi)貫穿延伸至所述空腔，所述第一分割槽的投影區(qū)域在所述空腔的投影區(qū)域內(nèi)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的MEMS結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述通孔呈周向排列。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一分割槽的正下方的所述振動支撐層具有波浪形褶皺部分，所述波浪形褶皺部分位于所述中間區(qū)域和所述外圍區(qū)域之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述MEMS結(jié)構(gòu)還包括阻擋層，所述阻擋層形成在所述襯底和所述振動支撐層之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述MEMS結(jié)構(gòu)包括壓電式MEMS傳感器。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述MEMS結(jié)構(gòu)包括隔離層，所述隔離層形成于所述第一電極層與所述壓電層之間的位置，或者所述壓電層與所述第二電極層之間的位置。