[發(fā)明專利]掩膜版及蒸鍍裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010880995.0 | 申請(qǐng)日: | 2020-08-27 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112176282B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-02-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張浩瀚;李慧;劉明星;甘帥燕 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 合肥維信諾科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/04 | 分類號(hào): | C23C14/04;C23C14/24 |
| 代理公司: | 廣東君龍律師事務(wù)所 44470 | 代理人: | 丁建春 |
| 地址: | 230001 安徽省合*** | 國(guó)省代碼: | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 掩膜版 裝置 | ||
本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N掩膜版和蒸鍍裝置,該掩膜版包括:框架;多個(gè)支撐條和多個(gè)掩膜條,平行間隔設(shè)置于框架的第一表面,且相鄰支撐條之間設(shè)置有一個(gè)掩膜條;其中,支撐條遠(yuǎn)離框架一側(cè)表面的面積小于其靠近框架一側(cè)表面的面積;掩膜條遠(yuǎn)離框架一側(cè)表面的面積大于其靠近框架一側(cè)表面的面積;支撐條鄰近掩膜條的邊緣設(shè)置有第一臺(tái)階部,第一臺(tái)階部包括與第一表面平行的第一臺(tái)階面;掩膜條鄰近支撐條的邊緣設(shè)置有第二臺(tái)階部,第二臺(tái)階部包括與第一表面平行的第二臺(tái)階面;第二臺(tái)階面與第一臺(tái)階面搭接,且支撐條遠(yuǎn)離框架的一側(cè)表面高于掩膜條。通過(guò)上述方式,本申請(qǐng)可以使得在蒸鍍對(duì)位過(guò)程中待蒸鍍基板不會(huì)直接壓到掩膜條。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請(qǐng)屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種掩膜版及蒸鍍裝置。
背景技術(shù)
目前OLED顯示面板市場(chǎng)向著成熟化方向發(fā)展,各大OLED顯示面板制造公司的制造良率已經(jīng)成為公司競(jìng)爭(zhēng)力的最重要因素之一。OLED顯示面板的發(fā)光層在制備過(guò)程中一般會(huì)引入掩膜版來(lái)蒸鍍發(fā)光物質(zhì)。在蒸鍍開(kāi)始前,待蒸鍍基板需要反復(fù)進(jìn)行上升和下降過(guò)程,以使得掩膜版的掩膜條與待蒸鍍基板的待蒸鍍區(qū)域精確對(duì)位。
如圖1所示,圖1為現(xiàn)有技術(shù)中待蒸鍍基板與掩膜版對(duì)位一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。在對(duì)位過(guò)程中,由于待蒸鍍基板30的下垂量大于掩膜版32中掩膜條320的下垂量,待蒸鍍基板30在下降至與掩膜版32貼合時(shí),待蒸鍍基板30會(huì)直接壓到掩膜條320。此時(shí),待蒸鍍基板上的各個(gè)顯示面板300的像素定義層或間隔件(未標(biāo)示)會(huì)受到較大的壓應(yīng)力,多次對(duì)位過(guò)程可能會(huì)使像素定義層或間隔件受到反復(fù)擠壓而被損傷形成尖角,進(jìn)而影響后續(xù)封裝過(guò)程,嚴(yán)重時(shí)會(huì)造成封裝失效導(dǎo)致產(chǎn)生多個(gè)暗點(diǎn)等情況。
發(fā)明內(nèi)容
本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N掩膜版及蒸鍍裝置,以使得在蒸鍍對(duì)位過(guò)程中待蒸鍍基板不會(huì)直接壓到掩膜條。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本申請(qǐng)采用的一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種掩膜版,包括:框架;多個(gè)支撐條和多個(gè)掩膜條,平行間隔設(shè)置于所述框架的第一表面上,且相鄰所述支撐條之間設(shè)置有一個(gè)所述掩膜條;其中,所述支撐條遠(yuǎn)離所述框架一側(cè)表面在所述第一表面上的正投影的面積小于其靠近所述框架一側(cè)表面在所述第一表面上的正投影的面積;所述掩膜條遠(yuǎn)離所述框架一側(cè)表面在所述第一表面上的正投影的面積大于其靠近所述框架一側(cè)表面在所述第一表面上的正投影的面積;所述支撐條鄰近所述掩膜條的邊緣設(shè)置有第一臺(tái)階部,所述第一臺(tái)階部包括與所述第一表面平行的第一臺(tái)階面;所述掩膜條鄰近所述支撐條的邊緣設(shè)置有第二臺(tái)階部,所述第二臺(tái)階部包括與所述第一表面平行的第二臺(tái)階面;所述第二臺(tái)階面與所述第一臺(tái)階面搭接,且所述支撐條遠(yuǎn)離所述框架的一側(cè)表面高于所述掩膜條。
其中,所述支撐條包括:第一子支撐條,設(shè)置于所述第一表面上;第二子支撐條,至少部分位于所述第一子支撐條遠(yuǎn)離所述框架一側(cè),且所述第二子支撐條的寬度小于所述第一子支撐條的寬度,所述第一子支撐條靠近所述第二子支撐條的表面包括所述第一臺(tái)階面。
其中,位于所述第一子支撐條遠(yuǎn)離所述框架一側(cè)的所述第二子支撐條的部分的高度大于所述掩膜條的厚度。
其中,在所述第一子支撐條的長(zhǎng)度方向上,所述第一子支撐條與所述框架接觸的兩端分別設(shè)置有至少一個(gè)開(kāi)口,所述框架對(duì)應(yīng)所述開(kāi)口的位置設(shè)置有凸部,所述凸部的高度大于等于所述開(kāi)口的深度,所述第二子支撐條與所述凸部固定連接。
其中,所述凸部的高度與所述開(kāi)口的深度之間具有第一差值,所述第二子支撐條遠(yuǎn)離所述框架一側(cè)表面與所述掩膜條遠(yuǎn)離所述框架一側(cè)表面之間具有第二差值,所述第一差值小于所述第二差值。
其中,在所述第一子支撐條的長(zhǎng)度方向上,所述第一子支撐條對(duì)應(yīng)所述第二子支撐條的位置具有凹槽,至少部分所述第二子支撐條填充所述凹槽。
其中,所述凹槽貫通所述第一子支撐條,所述第二子支撐條在長(zhǎng)度方向上的兩端與所述框架固定。其中,所述第二子支撐條在長(zhǎng)度方向上的兩端和所述框架一體成型。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





