[發明專利]一種低方阻透明導電膜

在審

• 申請號: 202010880225.6
• 申請日: 2020-08-27
• 公開（公告）號: CN111883287A
• 公開（公告）日: 2020-11-03
• 發明（設計）人: 呂敬波;于佩強;陳超;胡業新
• 申請（專利權）人: 江蘇日久光電股份有限公司
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14
• 代理公司: 蘇州科仁專利代理事務所(特殊普通合伙) 32301
• 代理人: 郭楊

1.一種低方阻透明導電膜，其特征在于：包括由下往上層疊設置的透明基材、折射率匹配層、過渡層、金屬合金層和透明導電層，

其中所述折射率匹配層為硫化鋅層、五氧化二鈮層、二氧化鈦層、氧化鋅層或者氧化鋅混合層，厚度為15~50nm，

所述過渡層為氧化鎂、氧化鎵和氧化鋁中的至少一種與氧化鋅混合的氧化鋅混合層，厚度為3~15nm。

2.根據權利要求1所述的一種低方阻透明導電膜，其特征在于：所述折射率匹配層為五氧化二鈮層，厚度為35nm。

3.根據權利要求1所述的一種低方阻透明導電膜，其特征在于：所述過渡層為氧化鋅鎂層，厚度為6nm。

4.根據權利要求1所述的一種低方阻透明導電膜，其特征在于：所述透明基材層的材料為PI、PET、PC、COP和玻璃中的一種，厚度為0.005~1μm，并且當材料為PET或PC時，上下表面做加硬處理。

5.根據權利要求4所述的一種低方阻透明導電膜，其特征在于：所述透明基材層的材料為PET，厚度為0.125μm。

6.根據權利要求1所述的一種低方阻透明導電膜，其特征在于：所述金屬合金層為銀合金層或者銅合金層，且銀合金中的其余合金成分為鈀、金、銅、鉑、銠中的至少一種，銀的比例大于95%；而銅合金中的其余合金成分為鈀、金、銀、鉑、銠中的至少一種，銅的比例大于95%；所述金屬合金層的厚度為4~20nm，方阻為5~30Ω。

7.根據權利要求6所述的一種低方阻透明導電膜，其特征在于：所述銀合金層中的其余合金為鈀和銅，所述銀合金層的厚度為6.5nm，方阻為16Ω。

8.根據權利要求1所述的一種低方阻透明導電膜，其特征在于：所述透明導電層為氧化錫層，或者氧化銦錫層，厚度為20~80nm。

9.根據權利要求8所述的一種低方阻透明導電膜，其特征在于：所述透明導電層為氧化銦錫層，厚度為52nm。