[發(fā)明專利]基片處理裝置、基片處理方法和存儲介質(zhì)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010878313.2
• 申請日: 2020-08-27
• 公開（公告）號: CN112447502A
• 公開（公告）日: 2021-03-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 田中啟一
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/67
• 代理公司: 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;劉芃茜

本發(fā)明提供基片處理裝置、基片處理方法和存儲介質(zhì)。基片處理裝置(1)包括：在處理容器內(nèi)保持基片的保持部，其中該基片在表面形成有由ArF液浸光刻用抗蝕劑材料構(gòu)成的圖案；使保持部旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動部；和具有多個光源的光源部，其對通過旋轉(zhuǎn)驅(qū)動部旋轉(zhuǎn)的保持部所保持的基片的表面照射包含真空紫外光的光，使從光源部對基片的內(nèi)側(cè)照射光的照射量比從光源部對基片的外側(cè)照射光的照射量大。本發(fā)明能夠在使用適合于ArF液浸光刻的抗蝕劑材料的基片上改善表面的粗糙度。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及基片處理裝置、基片處理方法和存儲介質(zhì)。

背景技術(shù)

專利文獻1記載了一種技術(shù)，在半導體器件的制造工藝中，依次進行：對形成于基片的表面的、曝光后進行了圖案化的抗蝕劑的前表面照射波長200nm以下的光的步驟；和進行抗蝕劑膜的下層膜的蝕刻的步驟。照射波長200nm以下的光的步驟(以下，簡稱為照射光的步驟。)，目的在于例如改善抗蝕劑膜的粗糙度(凸凹)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特許第3342856號公報

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的技術(shù)問題

本發(fā)明提供一種能夠在使用了適合于ArF液浸光刻的抗蝕劑材料的基片上改善表面的粗糙度的技術(shù)。

用于解決技術(shù)問題的技術(shù)方案

本發(fā)明的一個方式的基片處理裝置包括：在處理容器內(nèi)保持基片的保持部，其中上述基片在表面形成有由ArF液浸光刻用抗蝕劑材料構(gòu)成的圖案；使上述保持部旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動部；和具有多個光源的光源部，其對通過上述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動部旋轉(zhuǎn)的上述保持部所保持的上述基片的表面照射包含真空紫外光的光，使從上述光源部對上述基片的內(nèi)側(cè)照射光的照射量比從上述光源部對上述基片的外側(cè)照射光的照射量大。

本發(fā)明的一個方式的基片處理方法一邊在處理容器內(nèi)使基片旋轉(zhuǎn)，一邊從具有多個光源的光源部對上述基片的表面照射包含真空紫外光的光，其中上述基片在表面形成有由ArF液浸光刻用抗蝕劑材料構(gòu)成的圖案，在該基片處理方法中，使從上述光源部對上述基片的內(nèi)側(cè)照射光的照射量比從上述光源部對上述基片的外側(cè)照射光的照射量大。

發(fā)明效果

依照本發(fā)明，提供一種能夠在使用了適合于ArF液浸光刻的抗蝕劑材料的基片上改善表面的粗糙度的技術(shù)。

附圖說明

圖1是表示一個例示的實施方式的基片處理裝置的圖。

圖2是例示由基片處理裝置對基片進行的處理的示意圖。

圖3是例示基片處理裝置中的光源的配置的示意圖。

圖4是例示控制器的功能性的構(gòu)成的框圖。

圖5是例示控制器的硬件構(gòu)成的框圖。

圖6是例示基片處理裝置中的基片處理時的壓力變化的圖。

圖7是例示評價試驗1的結(jié)果的圖。

圖8是例示評價試驗2的結(jié)果的圖。

圖9是例示評價試驗3的結(jié)果的圖。

圖10是例示評價試驗4的結(jié)果的圖。

圖11是例示評價試驗5的結(jié)果的圖。

圖12是例示評價試驗6的結(jié)果的圖。

圖13是例示旋轉(zhuǎn)的基片接收的光的強度變化的圖。

圖14是例示基片中的照度分布的圖。

附圖標記說明