[發明專利]基片處理裝置、基片處理方法和存儲介質在審
| 申請號： | 202010878313.2 | 申請日： | 2020-08-27 |
| 公開（公告）號： | CN112447502A | 公開（公告）日： | 2021-03-05 |
| 發明（設計）人： | 田中啟一 | 申請（專利權）人： | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/027 | 分類號： | H01L21/027;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人： | 龍淳;劉芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 處理 裝置 方法 存儲 介質 | ||
1.一種基片處理裝置，其特征在于，包括：
在處理容器內保持基片的保持部，其中所述基片在表面形成有由ArF液浸光刻用抗蝕劑材料構成的圖案；
使所述保持部旋轉的旋轉驅動部；和
具有多個光源的光源部，其對通過所述旋轉驅動部旋轉的所述保持部所保持的所述基片的表面照射包含真空紫外光的光，
使從所述光源部對所述基片的內側照射光的照射量比從所述光源部對所述基片的外側照射光的照射量大。
2.如權利要求1所述的基片處理裝置，其特征在于：
使對所述基片的內側照射光的光源的輸出強度比對所述基片的外側照射光的光源的輸出強度大。
3.如權利要求1或2所述的基片處理裝置，其特征在于：
使對所述基片的內側照射光的時間和對所述基片的外側照射光的時間彼此不同。
4.如權利要求1或2所述的基片處理裝置，其特征在于：
包括對所述處理容器內供給非活性氣體的氣體供給部和從所述處理容器內排出氣體的氣體排出部，
所述氣體供給部和所述氣體排出部在用所述光源部照射光的期間，一邊使所述處理容器內的壓力變化一邊進行所述氣體的供給和排出。
5.一種基片處理方法，其一邊在處理容器內使基片旋轉，一邊從具有多個光源的光源部對所述基片的表面照射包含真空紫外光的光，其中所述基片在表面形成有由ArF液浸光刻用抗蝕劑材料構成的圖案，
所述基片處理方法的特征在于：
使從所述光源部對所述基片的內側照射光的照射量比從所述光源部對所述基片的外側照射光的照射量大。
6.一種計算機可讀存儲介質，其特征在于：
存儲有用于使裝置執行權利要求5所述的基片處理方法的程序。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
