[發明專利]離線監控介電層沉積工藝對銅電阻的影響的方法在審
| 申請號： | 202010878030.8 | 申請日： | 2020-08-27 |
| 公開（公告）號： | CN112038250A | 公開（公告）日： | 2020-12-04 |
| 發明（設計）人： | 魏想 | 申請（專利權）人： | 上海華力集成電路制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66;H01L21/48 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 欒美潔 |
| 地址： | 201315 上海市浦東新區自*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 離線 監控 介電層 沉積 工藝 電阻 影響 方法 | ||
1.一種離線監控介電層沉積工藝對銅電阻的影響的方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟S1，在裸硅片上沉積保護層；
步驟S2，在所述保護層的表面生長一銅層；
步驟S3，利用化學機械研磨工藝對所述銅層進行減薄處理；
步驟S4，測試研磨后的銅層的電阻，并以測得的電阻值作為前值電阻；
步驟S5，將測試后的硅片進行待測試的介電層沉積工藝中的銅表面預處理步驟；
步驟S6，測試預處理后硅片中的銅層的電阻，并以測得的電阻值作為后值電阻；
步驟S7，所述后值電阻與所述前值電阻的差值即為介電層沉積工藝對銅電阻的影響量。
2.根據權利要求1所述的離線監控介電層沉積工藝對銅電阻的影響的方法，其特征在于，所述介電層工藝中的銅表面預處理步驟包括氫氣或氦氣熱處理步驟、氨氣等離子體熱處理步驟、硅烷氣體熱處理步驟。
3.根據權利要求1所述的離線監控介電層沉積工藝對銅電阻的影響的方法，其特征在于，所述保護層為氧化硅層、碳氧化硅層、氮氧化硅層或者氟氧化硅層。
4.根據權利要求1所述的離線監控介電層沉積工藝對銅電阻的影響的方法，其特征在于，在步驟S1中，所述保護層的厚度為600nm～800nm。
5.根據權利要求4所述的離線監控介電層沉積工藝對銅電阻的影響的方法，其特征在于，所述保護層的厚度為600nm。
6.根據權利要求1所述的離線監控介電層沉積工藝對銅電阻的影響的方法，其特征在于，在步驟S2中，所述銅層的厚度為500nm～1000nm。
7.根據權利要求6所述的離線監控介電層沉積工藝對銅電阻的影響的方法，其特征在于，所述銅層的厚度為1000nm。
8.根據權利要求1所述的離線監控介電層沉積工藝對銅電阻的影響的方法，其特征在于，在步驟S3中，所述銅層減薄處理后的厚度為200nm～400nm。
9.根據權利要求8所述的離線監控介電層沉積工藝對銅電阻的影響的方法，其特征在于，減薄后的所述銅層的厚度為200nm。
10.根據權利要求1所述的離線監控介電層沉積工藝對銅電阻的影響的方法，其特征在于，所述介電層沉積工藝為碳氮化硅工藝或氮化硅工藝。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
