[發明專利]去耦電容器和布置

在審

• 申請號: 202010877251.3
• 申請日: 2014-06-27
• 公開（公告）號: CN111816654A
• 公開（公告）日: 2020-10-23
• 發明（設計）人: S·E·布-加扎利;R·T·埃爾賽義德;N·戈埃爾
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;H01L27/07;H01L23/522;H01L49/02
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 張亞峰

本文公開了晶體管組件、集成電路器件和相關方法的各種實施例。在一些實施例中，晶體管組件可以包括：基底層，晶體管設置在所述基底層中；第一金屬層；以及設置在基底層與第一金屬層之間的第二金屬層。晶體管組件還可以包括電容器，所述電容器包括其中具有溝道的導電材料的薄片，所述電容器設置在所述基底層或所述第二金屬層中并耦合到所述晶體管的所述供電線。可以公開和/或主張其它實施例。

本申請是申請號為201480079220.6、申請日為2014年6月27日、發明名稱為“去耦電容器和布置”的中國發明專利申請的分案申請。

技術領域

本公開總體上涉及集成電路器件的領域，并且更具體地涉及去耦電容器和布置。

背景技術

一些常規集成電路(IC)器件可以包括去耦電容器以在切換事件時或響應于供電電壓中的組來為電氣負載提供快速充電。然而，常規電容器結構和布置可能不足夠快或足夠強來防止性能降級。常規方法對較新的晶體管結構可能特別不適當。

附圖說明

通過下面的詳細描述結合附圖將容易理解實施例。為了便于該描述，相似的附圖標記表示相似的結構元件。在附圖的各圖中通過示例而非限制的方式示出實施例。

圖1是根據各種實施例的具有晶體管組件和電壓供應器的集成電路(IC)器件的一部分的示意圖。

圖2是根據各種實施例的描繪各種去耦電容器的效應的曲線圖。

圖3是根據各種實施例的晶體管組件的側橫截面視圖。

圖4描繪根據各種實施例的在晶體管組件中的電容器的示例性實質上平面構造的頂視圖。

圖5-11描繪根據各種實施例的在晶體管組件中的電容器的制造中的操作之后的各種組件的側橫截面視圖。

圖12-14描繪根據各種實施例的在使用電子束直接寫入技術形成暴露的光致抗蝕劑層中的各種階段之后的各種組件的頂視圖。

圖15是根據各種實施例的形成晶體管組件的方法的流程圖。

圖16示意性地示出根據各種實施例的可以包括如本文所公開的一個或多個晶體管組件的計算設備。

具體實施方式

本文公開了晶體管組件、集成電路(IC)器件和有關方法的各種實施例。在一些實施例中，晶體管組件可以包括其中設置了晶體管的基底層、第一金屬層和設置在基底層與第一金屬層之間的第二金屬層。晶體管組件還可以包括設置在基底層或第二金屬層中并耦合到晶體管的供電線的電容器。

除了常規方法外，本文公開的一些實施例可以向IC器件中的負載提供較快和/或較強的電荷再分布。特別是，本文公開的一些實施例可以提供具有高的每單位面積存儲電荷密度和短的路徑(可以經由該路徑將存儲電荷輸送到負載)的電容器結構和布置。本文公開的一些實施例可以提供有效地阻止噪聲到達晶體管的供電線并在電容器與負載之間有效地傳輸功率的電容器結構和布置。

本文公開的實施例中的各種實施例可以用不可由常規方法實現的方式實現對包括具有三柵極結構的晶體管的負載的有效去耦。去耦性能可以是去耦電容器的電容(“去耦電容”)與要從供應器去耦的負載晶體管的總柵極電容之比的函數。晶體管的柵極電容可以是在晶體管的柵極與晶體管中的其它點之間的凈電容。例如，柵極電容的第一級貢獻者可以是柵極到溝道電容，而第二級貢獻者可以是柵極到源極電容和柵極到漏極電容。在去耦電容與柵極電容之間的比的較高值可以對應于提高的性能。