[發(fā)明專(zhuān)利]去耦電容器和布置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010877251.3
• 申請(qǐng)日: 2014-06-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111816654A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-10-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: S·E·布-加扎利;R·T·埃爾賽義德;N·戈埃爾
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 英特爾公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/06
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/06;H01L27/07;H01L23/522;H01L49/02
• 代理公司: 永新專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 張亞峰

1.一種晶體管組件，包括：

基底層，在所述基底層中包括晶體管；

第一金屬層；

第二金屬層，其位于所述基底層與所述第一金屬層之間；以及

電容器，所述電容器包括其中具有溝道的導(dǎo)電材料的薄片，其中，所述電容器位于所述基底層或所述第二金屬層中，其中，所述電容器基本上是平面的并具有通過(guò)所述溝道間隔開(kāi)的交錯(cuò)的指狀物，并且其中，所述交錯(cuò)的指狀物包括形成第一電容器板的第一組交錯(cuò)的指狀物和形成第二電容器板的第二組交錯(cuò)的指狀物。

2.如權(quán)利要求1所述的晶體管組件，其中：

所述第一金屬層是管芯的最外面的金屬層；并且

所述電容器更接近所述基底層而不是所述第一金屬層。

3.如權(quán)利要求1所述的晶體管組件，其中，所述電容器耦合到所述晶體管組件的電壓供應(yīng)器。

4.如權(quán)利要求1所述的晶體管組件，其中，所述電容器位于所述基底層中。

5.如權(quán)利要求1所述的晶體管組件，其中，所述晶體管是三柵極晶體管。

6.如權(quán)利要求1所述的晶體管組件，其中，所述電容器完全位于所述第二金屬層中，并且其中，所述第二金屬層是最接近所述基底層的金屬層。

7.如權(quán)利要求1所述的晶體管組件，其中，所述電容器基本上是平面的并具有通過(guò)所述溝道間隔開(kāi)的交錯(cuò)的指狀物。

8.如權(quán)利要求1所述的晶體管組件，其中，所述導(dǎo)電材料是金屬。

9.如權(quán)利要求1所述的晶體管組件，其中，所述電容器位于所述第二金屬層中并在所述晶體管之上。

10.如權(quán)利要求1所述的晶體管組件，其中，所述晶體管具有供電線(xiàn)，并且所述電容器耦合到所述晶體管的所述供電線(xiàn)。

11.一種集成電路(IC)器件，包括：

晶體管組件，其包括：

基底層，在所述基底層中包括晶體管，

第一金屬層，

第二金屬層，其位于所述基底層與所述第一金屬層之間，以及

電容器，所述電容器包括其中具有溝道的導(dǎo)電材料的薄片，其中，所述電容器位于所述第二金屬層中并在所述晶體管之上；以及

電壓供應(yīng)器。

12.如權(quán)利要求11所述的IC器件，其中，所述電容器位于所述基底層中。

13.如權(quán)利要求11所述的IC器件，其中，所述晶體管是三柵極晶體管。

14.如權(quán)利要求11所述的IC器件，其中，所述晶體管是驅(qū)動(dòng)器晶體管，并且其中，所述基底層還包括耦合到所述驅(qū)動(dòng)器晶體管的多個(gè)負(fù)載晶體管。

15.如權(quán)利要求11所述的IC器件，其中，所述第二金屬層是更接近所述基底層的金屬層。

16.如權(quán)利要求11所述的IC器件，其中，所述晶體管具有供電線(xiàn)，并且所述電容器耦合到所述電壓供應(yīng)器，并耦合到所述晶體管的供電線(xiàn)。

17.一種形成晶體管組件的方法，包括：

在襯底上的基底層中形成晶體管；

通過(guò)對(duì)導(dǎo)電材料的薄片進(jìn)行選擇性圖案化來(lái)在所述基底層或第二金屬層中形成電容器，以在所述導(dǎo)電材料的薄片中形成溝道，其中，所述電容器基本上是平面的并具有通過(guò)所述溝道間隔開(kāi)的交錯(cuò)的指狀物，并且其中，所述交錯(cuò)的指狀物包括形成第一電容器板的第一組交錯(cuò)的指狀物和形成第二電容器板的第二組交錯(cuò)的指狀物；以及

形成第一金屬層，以使得所述電容器設(shè)置在所述襯底與所述第一金屬層之間。