[發明專利]基片處理裝置和基片處理方法

在審

• 申請號: 202010876608.6
• 申請日: 2020-08-27
• 公開（公告）號: CN112466776A
• 公開（公告）日: 2021-03-09
• 發明（設計）人: 田中澄
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/687
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;徐飛躍

本發明提供一種對基片進行處理的基片處理裝置和基片處理方法。基片處理裝置包括：能夠在上表面載置基片并對所載置的該基片進行加熱的載置臺；構成為能夠從上述載置臺的上表面伸出或沒入該上表面，并且能夠支承基片的基片支承銷；和光照射機構，其對載置于上述載置臺的上表面的基片中的與上述基片支承銷的伸出或沒入位置對應的特定的部分照射光，以對該特定的部分進行加熱。根據本發明，在用載置臺來對載置于基片支承銷所伸出或沒入的載置臺的上表面的基片進行加熱的情況下，能夠改善基片的溫度的面內均勻性。

技術領域

本發明涉及基片處理裝置和基片處理方法。

背景技術

在專利文獻1中公開了一種基片處理裝置，其在對基片進行高溫處理的情況下，能夠防止由于處理氣體的回流等而使基片處理的均勻性受到惡劣影響。該基片處理裝置包括基座、升降驅動裝置、多個基片支承銷和移動阻止部件。基座水平地配置，能夠將基片放置在上表面以對其進行支承。升降驅動裝置在支承基片的第1位置與比該第1位置低的等待進行基片的支承的第2位置之間升降驅動基座。基片支承銷相對于基座在上下方向上可移動地被支承，基座被定位在第2位置時，支承基片。移動阻止部件在使基座從第1位置移動到第2位置時，阻止基片支承銷向下方移動。在基座形成有用于插入基片支承銷的銷插入孔。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開平11-111821號公報。

發明內容

發明要解決的技術問題

本發明的技術在用載置臺對載置于基片支承銷能夠伸出或沒入的載置臺的上表面的基片進行加熱的情況下，能夠改善基片的溫度的面內均勻性。

用于解決問題的技術手段

本發明的一方式是一種對基片進行處理的基片處理裝置，其包括：能夠在上表面載置基片并對所載置的該基片進行加熱的載置臺；構成為能夠從所述載置臺的上表面伸出或沒入該上表面，并且能夠支承基片的基片支承銷；和光照射機構，其對載置于所述載置臺的上表面的基片中的與所述基片支承銷的伸出或沒入位置對應的特定的部分照射光，以對該特定的部分進行加熱。

發明效果

依照本發明，在用載置臺來對載置于基片支承銷能夠突入和沒入的載置臺的上表面的基片進行加熱的情況下，能夠改善基片的溫度的面內均勻性。

附圖說明

圖1是示意性地表示第1實施方式的作為基片處理裝置的成膜裝置的結構的概要的說明圖。

圖2是用于表示第1實施方式中的載置臺的開口、支承銷與光導入通路的位置關系的載置臺的俯視圖。

圖3是示意性地表示第2實施方式的作為基片處理裝置的成膜裝置的概要結構的說明圖。

圖4是用于表示第2實施方式中的載置臺的開口、支承銷與光導入通路的位置關系的載置臺的俯視圖。

圖5是表示光導入通路的形成位置的另一例的圖。

附圖標記說明

1 成膜裝置

20 載置臺

30 支承銷

70 光照射機構

W 晶片。

具體實施方式