[發明專利]基片處理裝置和基片處理方法

在審

• 申請號: 202010876608.6
• 申請日: 2020-08-27
• 公開（公告）號: CN112466776A
• 公開（公告）日: 2021-03-09
• 發明（設計）人: 田中澄
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/687
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;徐飛躍

1.一種對基片進行處理的基片處理裝置，其特征在于，包括：

能夠在上表面載置基片并對所載置的該基片進行加熱的載置臺；

構成為能夠從所述載置臺的上表面伸出或沒入該上表面，并且能夠支承基片的基片支承銷；和

光照射機構，其對載置于所述載置臺的上表面的基片中的與所述基片支承銷的伸出或沒入位置對應的特定的部分照射光，以對該特定的部分進行加熱。

2.如權利要求1所述的基片處理裝置，其特征在于，還包括：

使所述載置臺旋轉的旋轉驅動機構；和

控制部，其控制所述光照射機構和所述旋轉驅動機構，以使得與所述載置臺的旋轉相配合地從所述光照射機構出射光，對基片的所述特定的部分進行照射。

3.如權利要求1所述的基片處理裝置，其特征在于：

還包括控制部，其控制所述光照射機構，以使得每單位時間中對所述特定的部分僅照射預定時間的來自所述光照射機構的光。

4.如權利要求1～3中任一項所述的基片處理裝置，其特征在于：

還包括能夠將所述載置臺設置于內部的處理容器，

所述光照射機構在所述處理容器的外側具有出射光的光源，

所述處理容器具有將來自所述光源的光從所述處理容器的外側導入所述處理容器內的光導入通路，

在所述光導入通路上設置有窗。

5.如權利要求4所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述光導入通路設置于所述載置臺的上方且俯視時與載置于該載置臺的基片重疊的位置。

6.如權利要求4所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述光導入通路設置于俯視時不與載置于所述載置臺的基片重疊的位置。

7.如權利要求1～6中任一項所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述光具有指向性。

8.如權利要求7所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述光是激光。

9.如權利要求1～8中任一項所述的基片處理裝置，其特征在于：

在所述載置臺的上表面形成有開口，所述開口在所述基片支承銷上下移動時供該基片支承銷的上端通過，

對載置于所述載置臺的基片照射的所述光的照射區域的大小，是所述開口的大小的0.5～2.0倍。

10.一種對基片進行處理的基片處理方法，其特征在于，包括：

使能夠從載置臺的上表面伸出或沒入該上表面的基片支承銷與該載置臺相對地移動，將基片載置在載置臺的上表面的步驟；和

對載置于已加熱的所述載置臺的上表面的基片進行預定的處理的步驟，

進行所述預定的處理的步驟中具有如下步驟，即：從光照射機構對載置于所述載置臺的上表面的基片中的與所述基片支承銷的伸出或沒入位置對應的特定的部分照射光，以對該特定的部分進行加熱的步驟。

11.如權利要求10所述的基片處理方法，其特征在于：

在進行所述預定的處理的步驟中，使所述載置臺旋轉，

在所述進行加熱的步驟中，與所述載置臺的旋轉相配合地從所述光照射機構出射光，對載置于該基片的上表面的基片的所述特定的部分照射光。

12.如權利要求10所述的基片處理方法，其特征在于：

在所述進行加熱的步驟中，每單位時間中對所述特定的部分僅照射預定時間的來自所述光照射機構的光。