[發明專利]相移掩模的制備方法

在審

• 申請號: 202010876325.1
• 申請日: 2020-08-25
• 公開（公告）號: CN112034674A
• 公開（公告）日: 2020-12-04
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 安徽省徽騰智能交通科技有限公司泗縣分公司
• 主分類號: G03F1/26
• 分類號: G03F1/26
• 代理公司: 廣州高炬知識產權代理有限公司 44376
• 代理人: 洪美

1.一種相移掩模的制備方法，其包括如下步驟：

提供第一厚度的透明基板，蝕刻所述透明基板形成具有第一厚度的第一基板表面和第二厚度的第二基板表面，第一厚度和第二厚度之間的差值使得照射第一基板表面的第一光束和照射第二基板表面的第二光束具有預定相位差；

在氮氣氣氛下于第一基板表面和第二基板表面上分別濺射金屬硅化物形成具有第三厚度的第一半透明層，其中，金屬與硅的比值處于四分之一至八分之一之間，氮含量40原子％至45原子％，在氮氣和氪氣的混合氣氛下于第一半透明層表面上濺射金屬硅化物形成具有第四厚度的第二半透明層，其中，金屬與硅的比值處于二分之一至四分之一之間，其氮含量低于第一半透明層的氮含量且氮硅比值4至8之間，第三厚度小于第四厚度；

在氪氣氣氛下于第二半透明層表面上濺射鉻化合物形成具有第五厚度的遮光層，在遮光層上涂布光刻膠層，曝光后沖洗形成預定寬度和預定間隙的光刻圖案；

基于光刻圖案濕式蝕刻遮光層形成遮光層圖案，基于所述遮光層圖案濕式蝕刻第一半透明層和第二半透明層形成半透明圖案。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，第二半透明層和遮光層之間設有第六厚度的絕緣層，所述第六厚度小于第三厚度。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述遮光層和光刻膠層之間濺射第七厚度的反射層，所述反射層包括氧化鉻，所述第七厚度小于第六厚度。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述半透明圖案中，所述第二半透明層的上表面與第一半透明層的下表面朝向間隙的一端端部的連線與垂直方向的夾角小于10度。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二半透明層上濺射第八厚度的第三半透明層，所述第八厚度小于第三厚度，金屬與硅的比值處于二分之一至三分之一之間，其氮含量低于第二半透明層的氮含量且氮硅比值2至4之間。

6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，所述第三半透明層的上表面與第一半透明層的下表面朝向間隙的一端端部的連線與垂直方向的夾角小于8度。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述預定間隙與第三厚度和第四厚度之和的比值處于0.5至1之間，預定寬度大于所述預定間隙。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述預定相位差為180度。

9.如權利要求1所述的方法，其特征在于，第六厚度小于第四厚度且小于第三厚度與第四厚度之和。

10.如權利要求1所述的方法，其特征在于，氫氟酸溶液以預定路徑按照第一預定壓力和第二預定壓力噴射所述第二半透明層和第一半透明層以濕式蝕刻。